瞻芯電子

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瞻芯電子(InventChip)是一家由海歸博士領銜的碳化硅(SiC)高科技芯片公司,致力于開發以碳化硅為核心、高性價比的功率半導體器件和驅動控制IC產品,為電源和電驅動系統的小型化、輕量化和高效化,提供完整的半導體解決方案。其SiC MOSFET第一輪流片,為中國第一批國產6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圓。瞻芯電子(InventChip)是中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟會員單位,榮獲2019年PSIC最具發展潛力企業。    查看更多

瞻芯電子產品選型幫助

請提交您的研發和選型或參數需求,上千位世強和原廠的應用和技術專家將為您選擇最合適的器件,材料,模塊等,以協助您快速完成設計,達成功能最優,價格最優,供應最優,實現最優的元器件及方案選擇。技術專家會在48小時內響應。

選型幫助  -  瞻芯電子

技術資料

【選型】瞻芯電子(InventChip)SiC MOSFET/SiC 二極管/SiC MOSFET柵極驅動芯片選型指南

目錄- SiC MOSFET/SiC 二極管/SiC MOSFET柵極驅動芯片   

型號- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV1D12030U3,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IV1Q06550T4,IVCR2404D,IV1Q06550T3,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1D12010

選型指南  -  瞻芯電子  - 2020年07月 中文 下載

新產品

瞻芯電子應邀出席EVCP2021并做《高密度全碳化硅充電樁模塊設計探討》專題報告

2021年7月11日,瞻芯電子應邀參加了由中國電源學會新能源車充電與驅動專業委員會和中國新能源車充電與驅動技術創新聯盟聯合主辦的2021中國新能源車充電與驅動技術大會。瞻芯電子CTO葉忠博士應邀發表了題為《高密度全碳化硅充電樁模塊設計探討》的報告。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-07-23

新產品

【產品】650V、40mΩ的國產SiC MOSFET,采用TO247-3封裝

瞻芯電子推出漏源電壓高達650V的快速恢復體二極管IV1Q06040T3,采用TO247-3封裝,具有導通電阻小(40mΩ典型值 )、寄生電容小、工作節溫高(-55°C ~175°C )的特點,適用于電動汽車充電裝置等應用。

新產品    發布時間 : 2021-07-19

新產品

【產品】瞻芯電子全新碳化硅專用驅動IVCR1412特點及應用

2021年1月,上海瞻芯電子繼碳化硅MOSFET專用驅動IVCR1401之后,全新推出碳化硅專用驅動產品IVCR1412,封裝更小,可以更靠近MOSFET,最大化的實現驅動效力。

新產品    發布時間 : 2021-06-29

技術資料

上海瞻芯電子科技有限公司介紹

型號- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV1D12030U2,IV1D12030U3,IV6212200HA1,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IV1Q120080T3,IV1Q06050T4,IVCR2404D,IV1Q121

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集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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【選型】國產MOS管柵極驅動器IVCR2404DR替代MIC4424YM用于H橋逆變,驅動電流可達4A

本文主要推薦國產瞻芯電子MOS管柵極驅動器IVCR2404DR替代MICROCHIP 的MIC4424YM,在MICROCHIP 的MIC4424YM缺貨或者需求國產降本替代時,可作選型考慮。

器件選型    發布時間 : 2021-06-24

技術資料

上海瞻芯電子科技有限公司介紹

型號- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV6212200HA1,IV1D12030U3,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IVCR2204D,IVCR2206D,IVCR2406D,IVCR2404D,IV1Q12160T3,IV

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IVCT Developed A 20kW Interleaved Boost Converter for Solar PV Power

IVCT has developed a 20kW interleaved boost converter to demonstrate SiC diode and MOSFET performance. The converter uses four 80mOhm 1200V IV1Q12080T4 MOSFTEs and four 10A 1200V IV1D12010T3 diodes. At 65kHz, the converter achieves 99.4% efficiency with 600V input and 800V output.

應用方案    發布時間 : 2021-06-09

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瞻芯電子分析SiC功率器件的可靠性及應用

上海瞻芯電子經過三年的深度研發和極力攻關,成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝,以及SiC MOSFET驅動芯片的公司。本文就瞻芯電子SiC功率器件的可靠性及應用進行說明,讓用戶在使用前放心、使用中省心,做出更好的產品。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-05-21

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上海瞻芯電子碳化硅二極管產品通過7項JEDEC國際標準測試,質量超越工規級要求

瞻芯電子在立項碳化硅二極管產品時,除了設計規劃自主知識產權的6英寸碳化硅工藝器件平臺以外,還特別注意產品量產所需要的品質與可靠性保障,已通過7項JEDEC國際標準測試,質量超越工規級。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-05-20

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【選型】國產MOSFET驅動芯片IVCR1801SR替代TI的LM5114BMF用于通信電源輸出同步整流

本文主要介紹上海瞻芯電子的MOSFET驅動芯片IVCR1801SR替代TI LM5114BMF在通信電源輸出同步整流上進行應用,工作電壓、抵抗負壓能力更高,驅動電流更大,封裝均為SOT-23-6管腳定義相同。

器件選型    發布時間 : 2021-05-12

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【應用】瞻芯電子20kW碳化硅三相PFC參考設計

三相PFC是一種高效率大功率無橋功率因數校正電路,本文介紹瞻芯電子的20kW碳化硅三相PFC參考設計,額定功率為20kW,使用1200V/30mΩ SiC MOSFET IV1QXXXXT3,以及專用碳化硅MOSFET驅動IC IVCR1401用于高速橋臂。

應用方案    發布時間 : 2021-05-05

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【應用】使用TO-247封裝SiC MOSFET的光伏升壓變換器解決方案,效率達到99.4%

SiC二極管在光伏升壓變換器設計中已得到了廣泛的應用,SiC MOSFET在許多高性能逆變器的開發中也開始得到應用。本文介紹了使用TO-247封裝SiC MOSFET和瞻芯電子IV1E系列SiC模組的150kW逆變器解決方案。

應用方案    發布時間 : 2021-05-03

新產品

【應用】瞻芯電子針對服務器和通信電源的整流器提供千瓦級整流參考設計,滿足大電流輸出需要

隨著碳化硅和氮化鎵的成熟和成本的降低,整流器設計可以采用更優越和更簡單的拓撲,以實現96% +的整機效率和工作在更高的開關頻率。CCM(連續電流模式)的圖騰柱PFC,適合千瓦級的整流設計。對此,瞻芯電子開發了2.5kW圖騰柱PFC參考設計。

應用方案    發布時間 : 2021-05-01

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【應用】瞻芯電子工業8腳SiC MOSFET驅動器實現電動汽車OBC高效穩定設計

為了提高電動汽車的功率轉換效率,減少充電時間,新型電動汽車的設計正在將母線電壓從500V升級到800V,先進的寬禁帶半導體SiC在新一輪電動汽車發展中發揮著重要作用。SiC MOSFET的開關速度比IGBT快10倍,在175°C結溫下工作時性能不會下降,開關損耗減少60%以上。

應用方案    發布時間 : 2021-04-29

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【應用】瞻芯電子2.5kW碳化硅圖騰柱PFC參考設計,效率可達98.7%

圖騰柱PFC是一種高效率的無橋功率因數修整電路。本文介紹一款參考設計,額定功率為2500W,使用瞻芯電子生產的650V/60mΩ SiC MOSFET產品IV1Q06060T3,以及專用碳化硅MOSFET驅動IC IVCR1401用于高速橋臂。

應用方案    發布時間 : 2021-04-27

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【選型】國產低邊4A雙通道高速柵極驅動器IVCR2404DR替代UCC27524用于LLC全橋驅動,延時匹配低至1ns

20KW充電模塊DCDC部分電路中采用的全橋LLC拓撲方案,使用TI的UCC23513雙5A高低低側驅動器。本文推薦國產瞻芯電子低邊4A雙通道高速柵極驅動器IVCR2404DR替代,兩通道延時匹配低至1ns,非常適合于服務器和電信電源的同步整流驅動。

器件選型    發布時間 : 2021-04-25

新產品

【應用】瞻芯電子20kW全碳化硅升壓變換器參考設計,峰值效率達99.4%

SiC MOSFET在高頻和高壓工況下,具有比IGBT優越的開關特性,開關頻率可輕易推到65kHZ或更高,并取得更好的效率,同時也減少BOOST主電感體積、EMI濾波器散熱器的體積。本文中瞻芯電子介紹的參考設計是一個20kW升壓電路,驗證和展示優越SiC MOSFET的開關特性。

應用方案    發布時間 : 2021-04-23

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國產瞻芯電子碳化硅MOSFET具備優異性能和抗EMI特性,助力設備高效小型化設計

本文從寄生電容,開關速度,EON,EOFF,輕載損耗和體二級管的反向恢復等角度對碳化硅MOSFET和IGBT等Si器件做了探討和比較,這些運行參數的優化是實現設備高效小型化的關鍵。國內品牌瞻芯電子具有特性優異的碳化硅MOSFET,可較好地替代國外產品。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-03-31

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【應用】國產SiC MOSFET IV1Q12050T3/T4用于大功率LLC諧振器,導通電阻僅50mΩ

在逆變應用領域中,LLC諧振變換器電路中的大功率器件一直多以國外產品為主,由于進口物料的交期和價格都不理想,國產化的需求越來越多,瞻芯電子針對這一需求推出導通電阻僅50mΩ的SiC MOSFET,是LLC諧振器大功率MOS國產化的優秀選擇。

應用方案    發布時間 : 2021-03-31

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【產品】1200V SiC MOS導通電阻低至50mΩ,開關速度達百kHZ,助力設備高效小型化設計 | 視頻

?在2021年3年26日功率器件專場|世強硬創新產品研討會中,瞻芯電子推出1200V SiC MOSFET,導通電阻低至50毫歐,采用開爾文連接驅動,帶快速恢復體二極管,工作結溫最高達175℃,典型結到外殼的熱阻0.436℃/W,低寄生電容。

新產品    發布時間 : 2021-03-29

技術資料

代理證明  -  瞻芯電子  - 2020年6月18日 中文 下載

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【選型】國產低邊4A雙通道高速柵極驅動器IVCR2401D替代FAN3217用于MOSFET驅動電路

目前進口品牌缺貨嚴重,MOSFET柵極驅動器國產化的需求越來越多,國產瞻芯電子推出了4A雙通道高速柵極驅動器IVCR2401D,電路應用靈活,供電范圍寬,能有效、安全地驅動MOSFET和IGBT,可Pin-pin替換進口器件FAN3217用在MOSFET驅動電路中。

器件選型    發布時間 : 2021-03-28

技術資料

瞻芯電子電流源驅動器 IVCR1412 及單通道驅動器 IVCR1407、IVCR1801介紹

型號- IV1Q12080T3,UCC27517,IVCR1801,IVCR1407,IVCR1801S,IVCR1412,UCC27511,IVCR1407S

用戶指南  -  瞻芯電子  - Mar. 2021 中文 下載

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【選型】國產雙通道門極驅動IVCR2401DR可pin-pin替換FAN3224C,峰值電流達6.6A

微逆主要拓撲結構由交錯反激電路、逆變部分組成。反激升壓部分,一般由一組或多組并聯組成,一組反激結構有兩個MOS,常用ON的門極驅動FAN3224C。本文通過電性能參數等介紹國產瞻芯電子雙通道門極驅動IVCR2401DR,可pin-pin替換FAN3224C。

器件選型    發布時間 : 2021-03-25

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【選型】吸塵器電機驅動推薦國產單通道驅動器IVCR1801,可兼容替換IEDN7511B

在吸塵器電機驅動方案中一般會選用MOS作為功率開關器件,功率方案就需要MOS驅動,本文推薦瞻芯電子單通道驅動器IVCR1801S,具有4A峰值拉電流和8A峰值灌電流,6引腳SOT-23封裝適合高集成方案PCB布局,且可兼容替換1EDN7511B。

器件選型    發布時間 : 2021-03-24

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國產功率器件龍頭供應商,角逐PD快充、新能源汽車、5G基站、充電樁、光伏逆變器替換市場

世強硬創電商目前已獲揚杰科技、強茂PANJIT、泰科天潤、長晶科技、無錫紫光微、碩凱電子、檳城電子、電安科技等多家國產功率器件龍頭供應商授權,代理其IGBT、IPM、Si MOS、SiC、GaN FET、FRD、整流橋等品類。 揚杰科技PB系列整流橋、FRED二極管,SiC和MOSFET產品目前在充電樁領域運用廣泛。

活動    發布時間 : 2021-03-15

新產品

碳化硅功率器件與驅動芯片整合供應商瞻芯電子(InventChip),為電源和電驅動系統提供完整的半導體解決方案

日前,上海瞻芯電子科技有限公司與世強硬創電商簽訂授權代理協議,世強成為其戰略合作伙伴,雙方將在世強硬創平臺線上及線下展開深入廣泛合作。瞻芯電子已在平臺上線其全線產品以及相關技術資料。瞻芯電子(InventChip)專注于碳化硅(SiC)半導體領域, 已成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝以及SiC MOSFET驅動芯片的公司。碳化硅是第三代半導體的主要材料之一,能實現設備的小型

公司動態    發布時間 : 2021-02-04

新產品

【選型】國產MOSFET/IGBT驅動芯片對比TI UCC27511,可P2P替換

IVCR1801S是瞻芯電子推出MOSFET/IGBT驅動芯片,讓瞻芯的驅動芯片進口替代系列更加完善。除了相當有競爭力的價格外,擁有與進口品牌相媲美的性能。本文就IVCR1801S與TI UCC27511做對比,讓大家在選型過程中有更大的選擇范圍。

器件選型    發布時間 : 2021-02-03

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【選型】國產MOSFET/IGBT驅動芯片對比TI UCC27517,工作電壓更寬,開關損耗更小

2020年8月,瞻芯電子MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR1407S誕生,成為替代外資品牌的另一生力軍,除了相當有競爭力的價格外,擁有與市場上主流產品相當的質量與性能。本文對比IVCR1407S與TI UCC27517。

器件選型    發布時間 : 2021-02-02

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【產品】1200V/160mΩ的國產碳化硅MOSFET IV1Q12160T3,帶快恢復體二極管

瞻芯電子推出的IV1Q12160T3是一款1200V、160mΩ碳化硅MOSFET,采用TO247-3封裝,帶快速恢復體二極管。工作結溫最高達175°C,典型結到外殼的熱阻1.122°C/W,還具有高速、寄生電容小的特點。

新產品    發布時間 : 2021-01-04

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【產品】1200V/50mΩ的國產碳化硅MOSFET IV1Q12050T4,采用開爾文連接驅動

瞻芯電子推出的IV1Q12050T4是一款TO247-4封裝的1200V、50mΩ碳化硅MOSFET,采用開爾文連接驅動,帶快速恢復體二極管。工作結溫最高達175℃,典型結到外殼的熱阻0.436℃/W,還具有高速、寄生電容小的特點。

新產品    發布時間 : 2021-01-03

新產品

【產品】1200V/160mΩ的國產碳化硅MOSFET IV1Q12160T4,采用開爾文連接驅動

瞻芯電子推出的IV1Q12160T4是一款TO247-4封裝的1200V、160mΩ碳化硅MOSFET,采用開爾文連接驅動,帶快速恢復體二極管,工作結溫高達175℃。具有高速、寄生電容小的特點,適合光伏逆變器、UPS電源、電機驅動、高壓DC/DC變換器、開關電源應用。

新產品    發布時間 : 2021-01-02

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【產品】1200V/50mΩ的國產碳化硅MOSFET IV1Q12050T3,TO247-3封裝

瞻芯電子新推出的IV1Q12050T3是一款1200V/50mΩ碳化硅MOSFET,采用TO247-3封裝。寄生電容小、工作結溫最高達175℃,具有快速恢復體二極管,適合光伏逆變器、UPS電源、電機驅動、高壓DC/DC變換器和開關電源應用。

新產品    發布時間 : 2021-01-01

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【應用】采用開環LLC+電流源PFC方案實現全碳化硅高功率密度充電樁模塊設計

國產碳化硅領先品牌瞻芯電子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驅動芯片開發了全碳化硅的充電樁模塊包括PFC和DCDC的原型設計。該參考設計的功率密度比業界主流的充電樁模塊提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充電樁模塊領域的巨大優勢和潛力。

應用方案    發布時間 : 2020-12-29

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【產品】8管腳封裝集成負壓驅動并具備保護和通信功能的國產碳化硅MOSFET柵極驅動芯片

IVCR1401是上海瞻芯電子第一顆量產產品,也是世界上唯一一款在8管腳封裝集成負壓驅動,并提供所有必需的保護和通信功能的碳化硅MOSFET柵極驅動芯片,可以使系統設計更為精簡、可靠,從而推動碳化硅功率器件的更快普及和廣泛應用。

新產品    發布時間 : 2020-12-24

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【視頻】獨立8腳具負壓和退飽合保護功能的碳化硅驅動芯片在工業市場應用|世強硬創新產品在線研討會

在世強硬創新產品在線研討會——國產工業專場中,瞻芯電子技術專家為我們做了演講。瞻芯電子高速4A拉灌電流的碳化硅驅動芯片是工業界首款采用8引腳封裝,包括負壓生成,退飽和以及UVLO設置的SiC MOSFET和IGBT驅動芯片,專為低側驅動設計,可在自舉電路或隔離偏置中應用,也非常適合于高側驅動。可媲美國際大廠,交期4-6W,可廣泛應用于工業電源、UPS、光伏逆變等領域。

新產品    發布時間 : 2020-12-23

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活動泰科天潤、瞻芯電子、中電國基南方等國產碳化硅器件,支持650V-3300V,10倍抗浪涌電流 ,VF值1.23V

世強硬創電商代理泰科天潤、上海瞻芯、中電國基、基本半導體、美浦森、派恩杰,六家國產碳化硅器件 。本次活動廠牌的型號,支持免費樣品申請,并且保證100%原廠正品。下載【活動資料】¥400網紅潮品Hi-Fi音箱、¥188 無線手機充電器×5!品牌及主要產品中國碳化硅(SIC)功率器件產業化的倡導者之一,也是國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造商與應用方案提供商。泰科天潤(GPT)擁有一座完整的半導體

活動    發布時間 : 2020-12-04

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【產品】業界首創獨立8腳帶負壓和退飽和功能的碳化硅驅動芯片IVCR1401

國產品牌瞻芯電子的IVCR1401是一款高速4A拉、灌電流的SiC MOSFET和IGBT驅動芯片,是工業界首款采用8引腳封裝,包括負壓生成,退飽和以及UVLO設置的SiC MOSFET和IGBT驅動器,專為低側驅動設計,但在自舉電路或隔離偏置中應用,也非常適合于高側驅動。

新產品    發布時間 : 2020-11-30

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【選型】國產低側柵極驅動芯片IVCR2401可替換UCC27524用于空調

國產品牌瞻芯電子開發了一系列低側柵極驅動芯片,可以Pin-to-Pin完全兼容替代國外已量產商用的柵極驅動芯片。IVCR2401已經替換UCC27524在麥格米特獲得了大批量訂單,并成功的在空調機上進行了應用。

器件選型    發布時間 : 2020-10-26

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【產品】瞻芯電子發布基于6英寸晶圓的1200V/80mΩ工規級SiC MOSFET,填補國內空白

2020年10月16日,“2020年瞻芯電子產品發布會”順利舉辦,正式發布基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規級)認證的1200V/80mΩ碳化硅(SiC)MOSFET產品。這是首款在國內設計研發、國內6英寸生產線制造流片的碳化硅MOSFET,該產品的發布填補了國內空白,性能達到國際先進水平。

新產品    發布時間 : 2020-10-22

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【產品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4,TO247-4封裝

瞻芯電子的SiC MOSFET IV1Q12080T4,漏源電壓1200V,采用TO247-4封裝,該產品存儲溫度范圍為-55℃~175℃,工作結溫范圍為-55℃~175℃,適用于光伏逆變器、UPS 電源 、電機驅動、高壓 DC/DC變換器 、開關電源等。

新產品    發布時間 : 2020-10-21

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【應用】1200V SiC MOSFET和SiC SBD用于20KW BOOST,超寬負載范圍效率超過98%

碳化硅器件屬于寬禁帶器件的一種,具有更高的阻斷電壓,更低的導通電阻和更高的導熱性,因此可以在某些應用場合替代傳統硅器件。本文介紹瞻芯電子旗下1200V/50mΩ SiC MOSFET和1200V/30A碳化硅二極管用于20KW BOOST。

應用方案    發布時間 : 2020-09-22

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瞻芯電子碳化硅二極管批量助力麥格米特充電模塊制造

2019年底瞻芯電子的碳化硅二極管產品系列在深圳麥格米特電氣股份有限公司認證通過并啟動小批量驗證試產。經過半年的生產實踐,麥格米特同意瞻芯電子該產品系列在充電模塊產品線上可逐步全方位替代進口器件,進入批量采購階段。

行業資訊    發布時間 : 2020-09-18

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【產品】1200V/5A的碳化硅肖特基二極管IV1D12005O2,TO220-2封裝

瞻芯電子的碳化硅肖特基二極管IV1D12005O2,反向重復峰值電壓1200V,正向持續直流電流5A(Tc=155℃時),采用TO220-2封裝,適用于太陽能升壓器、逆變器續流反并聯二極管、維也納三相PFC整流變換器、EV充電樁、開關電源等。

新產品    發布時間 : 2020-09-03

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獨立8腳具有負壓和退飽保護功能的碳化硅驅動芯片在工業市場應用

型號- IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IVCR5401,IV1D12010BC,IVCC1100,IV1D12030U2,IV1D12030U3,IV1D12020T3,IVCC1200,IVCC1101,IVCR2401DP,IV1Q06050T4,IV1Q121

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瞻芯電子為高可靠性而設計的碳化硅二極管,超過工規級JEDEC要求

碳化硅二極管產品系列主要應用于工業開關電源和新能源汽車電子領域,因此產品在嚴苛應用條件下的魯棒性和可靠性,是產品設計和制造的重中之重。上海瞻芯電子的技術開發團隊,從設計階段開始,就將魯棒性和可靠性作為最核心的開發目標之一,并始終貫穿于產品的整個開發及量產過程。

廠牌及品類    發布時間 : 2020-08-25

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【選型】瞻芯電子MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR2404與TI UCC27524功能對比

上海瞻芯電子的MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR2404,結合了國外一線產品的一些特點,擁有與市場上主流產品相當的質量與性能。現就瞻芯電子的驅動芯片IVCR2404與TI UCC27524做個簡單的對比。讓大家在選型過程中有更大的選擇范圍,準確選到心儀的產品。

器件選型    發布時間 : 2020-08-19

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【選型】瞻芯電子MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR2401對比Microchip MIC4424,性能更優

2019年9月瞻芯電子第一款MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR2401推向市場,此款驅動芯片結合了國內外同行的一些特點,擁有優于市場上主流產品質量與性能。現就瞻芯電子的驅動芯片IVCR2401與Microchip MIC4424做個簡單的對比。讓大家在產品開發選型過程中有更多的選擇,選到性價比更優的產品。

器件選型    發布時間 : 2020-08-06

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【選型】瞻芯電子MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR2401對比IR的IR4427,性價比更優

2019年9月瞻芯電子第一款MOSFET/IGBT驅動芯片IVCR2401推向市場,此款驅動芯片結合了國外同行產品的一些特點,擁有優于市場上主流產品的質量與性能。下面將瞻芯電子的驅動芯片IVCR2401與IR的IR4427做個簡單的對比。讓大家在產品開發選型過程中有更多的選擇,選到性價比更優的產品。

器件選型    發布時間 : 2020-08-05

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【產品】單通道高速低側柵極驅動器IVCR1801/1802,4A峰值拉電流、8A峰值灌電流

瞻芯電子推出的IVCR1801、IVCR1802是4A峰值拉電流和8A峰值灌電流驅動單通道高速低側柵極驅動器,能夠高效安全地驅動MOSFET,IGBT和新興的WBG電源(功率)開關器件。 低傳播時延和緊湊的SOT23或WSON封裝等特點,使得MOSFET的開關頻率可以達到數百kHz。

新產品    發布時間 : 2020-07-26

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【選型】4A雙通道高速柵極驅動器IVCR2401可替換TI的UCC27424,供電/信號電壓更寬

目前市場國產化需求也越來越多,瞻芯電子的雙通道高速柵極驅動器IVCR2401可直接替代TI的UCC27424應用于驅動電路中。IVCR2401的供電電壓和信號電壓上,其參數范圍更寬,上升下降時間更短,輸出脈沖峰值更大,這些優勢體現在器件實際工作中的余量更大,器件可靠性更高。但在信號上升下降延時和工作溫度范圍稍有劣勢。

器件選型    發布時間 : 2020-07-26

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【選型】國產碳化硅MOSFET IV1Q12080T3可PIN-PIN替換C2M0080120D,更高工作結溫175℃

為實現設備小型化,目前也在不斷的用碳化硅(SiC)器件替換升級原先的硅(Si)器件。本文推薦國產瞻芯電子碳化硅MOSFET IV1Q12080T3,TO-247-3L封裝,漏源電壓1200V,導通電阻為80mR,可PIN-PIN替換市場主流的wolfspeed C2M0080120D,工作結溫范圍更寬-55℃到175℃,工作可靠性更高。

器件選型    發布時間 : 2020-07-21

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【產品】650V/10A的碳化硅肖特基二極管芯片IV1D06010BC

上海瞻芯電子推出的碳化硅肖特基二極管芯片IV1D06010BC,芯片尺寸為1.94×1.94mm2,其直流反向峰值電壓為650V,有著高浪涌電流容量 ,開關特性不受溫度影響的優秀特性,可應用于太陽能升壓器、AC/DC變換器等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-20

新產品

【產品】1200V/10A的碳化硅肖特基二極管芯片IV1D12010BC,零反向恢復電流

瞻芯電子推出的1200V/10A碳化硅肖特基二極管芯片IV1D12010BC,有著高浪涌電流容量、零反向恢復電流等優良特性,可應用于太陽能升壓器、逆變器續流反并聯二極管等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-19

技術資料

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子  - Aug. 2018 英文 下載

技術資料

IVCR240x/IVCR2403/IVCR2405/IVCR1407S/IVCR1801S Competitor Parts

型號- IR4426,2ED8523,IR4428,FAN3111CSX,IR4427,LM5114BMF,UCC27533DBV,1EDN7550B,UCC27424,UCC27523,UCC27325,UCC27524,UCC27425,UCC27525,MAX5048AAUT,UCC27323,1ED

對照表  -  瞻芯電子 英文 下載

技術資料

IVCT-REF00001 2.5千瓦碳化硅圖騰柱PFC參考設計

型號- IV1Q0606T3,SPARTAN-6,TMDSCNCD280049C,F280049C,STY105NM50N,AD7606,IVCR1401,UCC28740,IVCT-REF00001

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 中文 下載

技術資料

IVCT-REF00002 20千瓦全碳化硅升壓變換器參考設計

型號- TMDSCNCD280049C,IV1D12010T3,F280049C,IV1Q12080T4,IVCT-REF00002,UCC28740,IVCR1401

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 中文 下載

技術資料

IVCR2401 EVM用戶指南

型號- 112404,IVCR2401,5000,0603CG470J500NT,5001,TSW-103-07-G-S,5002,GMK107BJ105KA-T,MBR0540,C2M0025120D,KF350-2P,SE8550X2-HF,5-146261-1,0805W8J0512T5E,CL10B

用戶指南  -  瞻芯電子  - 16/08/2019 中文 下載

技術資料

IVCR2404D/IVCR1407S/IVCR1801S Competitor Parts

型號- FAN3111CSX,IR4427,PM8834,LM5114BMF,UCC27533DBV,1EDN7550B,UCC27424,UCC27524,MAX5048AAUT,1EDN7512B,UCC27324,IVCR2404D,FAN3100C,TC4427A,NCP81071,2ED8524

對照表  -  瞻芯電子 英文 下載

技術資料

IVCR1401 EVM 用戶指南

型號- 112404,5000,5001,5002,3362P-201,5-146261-1,CL10B102KB8NNNC,RTT052000FTP,0603B104K500NT,KEYSTONE5002,RTT03101JTP,0805W8F100JT5E,0805W8F510JT5E,0353-0-6

用戶指南  -  瞻芯電子  - 16/08/2019 中文 下載

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【產品】1200V、TO247-3封裝的碳化硅肖特基二極管IV1D12030/40U3,開關特性不受溫度影響

瞻芯電子推出的IV1D12030U3、IV1D12040U3碳化硅肖特基二極管,反向重復峰值電壓為1200V,正向持續直流電流分別為30A、40A,都采用TO247-3封裝。這兩款二極管具有零反向恢復電流和零正向恢復電壓,且開關特性不受溫度影響。

新產品    發布時間 : 2020-07-17

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【產品】1200V/15A碳化硅肖特基二極管IV1D12015T2,開關特性不受溫度影響、零正向恢復電壓

瞻芯電子推出的1200V 15A 碳化硅肖特基二極管IV1D12015T2,其反向重復峰值電壓為1200V,直流反向峰值電壓為1200V,有著開關特性不受溫度影響、零正向恢復電壓等優良特性,可應用于太陽能升壓器、維也納三相 PFC 整流變換器等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-17

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【產品】25V/4A拉、灌電流低側柵極驅動器IVCR2401,雙通道獨立柵極驅動

瞻芯電子推出的IVCR2401是雙通道4A高速的低側柵極驅動器,可以高效安全地驅動MOSFET以及IGBT。可以選擇帶/不帶熱焊盤的SOIC-8封裝,由于具有低傳播延遲和失配等特點,使得MOSFET的開關頻率可以達到數百kHz。這款芯片非常適合用于服務器和通訊電源的同步整流驅動。

新產品    發布時間 : 2020-07-16

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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【產品】1200V/10A碳化硅肖特基二極管 IV1D12010O2,最大結溫為175°C

上海瞻芯電子的碳化硅肖特基二極管 IV1D12010O2,TO220-2封裝,反向重復峰值電壓為1200V,具有高浪涌電流容量,零反向恢復電流,零正向恢復電壓,開關特性不受溫度影響等特點,最大結溫為175°C,可應用于太陽能升壓器,逆變器續流反并聯二極管,維也納三相PFC整流變換器,EV 充電樁,開關電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-16

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中國第一批國產6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圓生產商:瞻芯電子(InventChip)

瞻芯電子(InventChip)是一家由碳化硅(SiC)高科技芯片公司,致力于開發以碳化硅為核心,高性價比的功率半導體器件和驅動控制IC產品,為電源和電驅動系統的小型化、輕量化和高效化,提供完整的半導體解決方案。世強是瞻芯電子官方授權一級代理商,代理瞻芯電子旗下驅動芯片,碳化硅肖特基二極管,碳化硅MOSFET等產品,庫存豐富,正品保證。

供應商資源    發布時間 : 2020-07-16

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【產品】IVCR2403/04/05/06 24V 4A 峰值拉、灌電流雙通道驅動器,采用工業標準 SOIC-8 引腳

瞻芯電子IVCR240x 是雙通道 4A 的高速低側柵極驅動器,可以 高效安全地驅動 MOSFET 以及 IGBT。低傳播延遲和 失配以及緊湊的 SOIC-8 封裝等特點,使得 MOSFET 的開關頻率可以達到數百 kHz。這款芯片非常適合用 于服務器和通訊電源的同步整流驅動,在這種場合中 同步管 MOSFET 的死區時間直接影響變換器的效率。 驅動器可以通過雙通道的并聯來增加輸出驅動電流。

新產品    發布時間 : 2020-07-15

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【產品】1200V/30A碳化硅肖特基二極管IV1D12030U2,最大結溫為 175°C

上海瞻芯電子的碳化硅肖特基二極管 IV1D12030U2,TO247-2封裝,反向重復峰值電壓為1200V,正向持續直流電流為30A(@Tc=141℃),具有零反向恢復電流,零正向恢復電壓,開關特性不受溫度影響等特點,最大結溫為175°C,可應用于太陽能升壓器,逆變器續流反并聯二極管,維也納三相PFC整流變換器,EV 充電樁,開關電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-15

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【產品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3,采用TO247-3封裝

IV1Q12080T3是瞻芯電子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET,采用TO247-3封裝,可在-55到175℃范圍內工作。它有著高壓、低導通電阻、高速、寄生電容小等優良特性,可應用于光伏逆變器、UPS 電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-14

技術資料

20千瓦碳化硅三相PFC參考設計

型號- IV1QXXXXT3,IV1Q12050T4,IMZ120R045M1,TMDSCNCD280049C,F280049C,AD7606,IVCR1401,UCC28740

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 中文 下載

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【產品】1200V/20A碳化硅肖特基二極管IV1D12020T3,采用TO247-3封裝

上海瞻芯電子的碳化硅肖特基二極管 IV1D12020T3,TO247-3封裝,反向重復峰值電壓為1200V,具有高浪涌電流容量,零反向恢復電流,零正向恢復電壓,開關特性不受溫度影響等特點,最大結溫為175°C,可應用于太陽能升壓器,逆變器續流反并聯二極管,維也納三相PFC整流變換器,EV 充電樁,開關電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-14

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【產品】24V/4A峰值拉、灌電流單通道高速低側柵極驅動器IVCR1406/07,開關頻率可達數百 kHz

瞻芯電子IVCR1406/IVCR1407 是單通道 4A 對稱的高速低側柵極驅動器,可以高效安全地驅動 MOSFET、IGBT 以及新興 的寬禁帶功率器件。低傳播延遲以及緊湊的 SOT-23 或 WSON 封裝,使得開關頻率可以達到數百 kHz。這款芯片非常適合用于服務器和通訊電源的同步整流驅 動,在這種場合中同步管 MOSFET 的死區時間直接 影響變換器的效率。

新產品    發布時間 : 2020-07-13

技術資料

20千瓦碳化硅三相PFC參考設計

型號- IV1QXXXXT3,TMDSCNCD280049C,F280049C,AD7606,IVCR1401,UCC28740

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 中文 下載

技術資料

2.5千瓦碳化硅圖騰柱PFC參考設計

型號- IV1Q0606T3,SPARTAN-6,TMDSCNCD280049C,F280049C,STY105NM50N,AD7606,IVCR1401,UCC28740

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 中文 下載

技術資料

2.5千瓦碳化硅圖騰柱PFC參考設計

型號- SPARTAN-6,TMDSCNCD280049C,F280049C,STY105NM50N,AD7606,IVCR1401,UCC28740,IV1Q06060T3

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 中文 下載

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【產品】1200V/10A的碳化硅肖特基二極管IV1D12010T2,采用TO247-2封裝

瞻芯電子推出的碳化硅肖特基二極管IV1D12010T2,采用TO247-2封裝,其直流反向峰值電壓為1200V,反向重復峰值電壓為1200V,正向持續直流電流為10A,最大結溫為 175°C 。它有著高浪涌電流容量、高頻工作等優良特性,可應用于太陽能升壓器 、逆變器續流反并聯二極管等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-13

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【產品】1200V/20A碳化硅肖特基二極管IV1D12020U2,采用TO247-2封裝

上海瞻芯電子的碳化硅肖特基二極管 IV1D12020U2,TO247-2封裝,反向重復峰值電壓為1200V,正向持續直流電流為22A(@Tc=150℃),具有零反向恢復電流,零正向恢復電壓,開關特性不受溫度影響等特點,最大結溫為175°C,可應用于太陽能升壓器,逆變器續流反并聯二極管,維也納三相PFC整流變換器,EV 充電樁,開關電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-13

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【產品】35V/4A的單通道高速智能驅動器IVCR1401,集成負壓偏置、可高效安全驅動SiC MOSFET和IGBT

上海瞻芯電子的IVCR1401是一款35V/4A單通道高速智能驅動器, 能夠高效、安全地驅動SiC MOSFET和IGBT。 帶有負壓的驅動可以在高dv/dt下,提高抗米勒效應的噪聲抑制能力。退飽和檢測可提供有效的短路保護,并降低電源設備和系統元件損壞的風險。

新產品    發布時間 : 2020-07-12

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【產品】24V/2A峰值拉、灌電流雙通道驅動器IVCR220x,采用緊湊的SOIC-8封裝

瞻芯電子IVCR220x是雙通道 2A 的高速低側柵極驅動器,可以高效安全地驅動 MOSFET 以及 IGBT。低傳播延遲和失配以及緊湊的 SOIC-8 封裝等特點,使得 MOSFET 的開關頻率可以達到數百 kHz。

新產品    發布時間 : 2020-07-11

技術資料

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 英文 下載

技術資料

應用筆記或設計指南  -  瞻芯電子 英文 下載

技術資料

SiC-Based High-Density Charger Plie Power Module Design

型號- IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12030T3,IVCR1401

其他  -  瞻芯電子 英文 下載

技術資料

IVCR2401 應用手冊AN-0002

型號- IVCR2401

用戶指南  -  瞻芯電子 中文 下載

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【產品】1200V/20A的碳化硅肖特基二極管 IV1D12020T2,TO247-2封裝

上海瞻芯電子的碳化硅肖特基二極管IV1D12020T2,TO247-2封裝,反向重復峰值電壓為1200V,正向持續直流電流為20A(@Tc=151℃),具有零反向恢復電流,零正向恢復電壓,開關特性不受溫度影響等特點,最大結溫為175°C,可應用于太陽能升壓器,逆變器續流反并聯二極管,維也納三相PFC整流變換器,EV 充電樁,開關電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-07-11

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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1200V SIC MOS導通電阻低至50毫歐,低寄生電容,開關速度高達上百kHZ,助力設備高效小型化設計 | 功率器件專場 世強硬創新產品研討會

型號- IV1Q12050T3,NTHLD040N65S3HF,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IV1Q12050BD,IV1Q12080T3,IV1Q12500T3,IV1D12020T3,IV1Q12080T4,IV1Q12500T4,IV1Q12500BD,IV1Q12017BD,IV

商品及供應商介紹  -  瞻芯電子  - 2021.3.26 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev0.5 - Jan. 2021 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev0.5 - Feb. 2021 中文 下載

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用戶指南  -  瞻芯電子 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Jul.2021 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Jul. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Jun. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Jun. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Feb. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Jul. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Feb.2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.1 - Apr. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.1 - Apr. 2020 中文 下載

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數據手冊  -  瞻芯電子  - Rev1.0 - Jun. 2020 中文 下載

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