長晶科技

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長晶科技是一家以自主研發、銷售服務為主體的半導體產品研發、設計和銷售公司,公司主營二極管、三極管、MOSFET、LDO、DC-DC、頻率器件、功率器件等產品的研發、設計和銷售,擁有15000多個產品系列和型號,產品廣泛應用于各消費類、工業類電子領域。    查看更多

長晶科技產品選型幫助

請提交您的研發和選型或參數需求,上千位世強和原廠的應用和技術專家將為您選擇最合適的器件,材料,模塊等,以協助您快速完成設計,達成功能最優,價格最優,供應最優,實現最優的元器件及方案選擇。技術專家會在48小時內響應。

選型幫助  -  長晶科技

技術資料

【選型】長晶科技(JSCJ)頻率器件頻率器件/二極管/晶體管/MOSFET/IC產品/復合管/可控硅選型指南

型號- S6MAF54CA,CJ03-080002020A20,SBDF2045CT,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,SMB5338B,ESDI4V8FD1,6KP180A,15KP58A,HER602G,CESD12VD5,CESD12VD3,CESD12VD7,SMDJ78CA,CJM3005,H

選型指南  -  長晶科技  - 3.0 - 2020.11.20 中文 下載

新產品

【經驗】如何正確計算三極管的耗散功耗?

三極管的工作狀態一般分為截止區、放大區和飽和區,日常應用中需要評估三極管的發熱情況,如圖1所示,是一個典型的三極管應用示意圖,此時需要計算三極管的耗散功耗,本文將結合長晶科技的三極管2SD1802,介紹如何正確計算三極管的耗散功耗。

設計經驗    發布時間 : 2021-07-03

技術資料

封裝庫文件  -  長晶科技 中文 下載

技術資料

長晶科技(JSCJ)公司介紹2020版

型號- SBD SERIES,SMFXXCA,LMV321,CJ78XX,SMAJXXCA,1SMA47,BAS SERIES,BAV SERIES,SMBJXXA,5.0SMDJXXCA,HER SERIES,SMFXXA,CJ431,SMF47,CJ358,SMBJXXCA,CJ432,GBJ SERI

商品及供應商介紹  -  長晶科技 中文 下載

新產品

【產品】130A 60V SGT工藝MOSFET CJAC13TH06,采用PDFNWB5x6-8L封裝

長晶科技的SGT工藝 MOSFET CJAC13TH06,漏源級擊穿電壓為60V,連續漏極電流為130A,不含鹵素,符合RoHS標準。該產品為PDFNWB5x6-8L封裝,相較于TO-252-2L,封裝更小,且厚度僅為1mm。SGT工藝MOSFET,具有較低的RDS(on),同時具有優秀的動態特性參數,可用于PD充電器,電源模塊開關以及同步整流等應用。

新產品    發布時間 : 2021-07-02

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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助力PC行業國產自主化,長晶科技有多種MOS可供用戶選擇

長晶科技依據完善的產品線,可為PC廠商提供更多配套器件供應,其他可配套的產品有晶振、LDO、分立器件等,可配套的產品包括PC主板,電源等。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-06-12

新產品

【產品】長晶科技充電管理芯片 CJ40562睡眠模式功耗小于 2μA,連續可編程充電電流高達 1A

長晶科技充電管理芯片CJ40562大量應用于附帶單節鋰電池的小家電產品, 如電動剃須刀,電動牙刷,TWS 耳機等。單節鋰電線性充電管理芯片系列完整,整體方案小型化,低成本,市場占有量大。

新產品    發布時間 : 2021-06-10

新產品

【應用】長晶科技同步整流MOS用于適配器電源中,有6種型號可選

長晶科技同步整流MOS用于適配器電源,符合六級能效標準,可減小開關損耗,提高電源整體效率。

應用方案    發布時間 : 2021-06-01

技術資料

長晶科技(JSCJ)公司及電源產品介紹

型號- JBSL510,RS1ML,1SMA47,SBDF10100SCTB,SMBJXXA,SMF47,SBDF30100TCTB,CJQ18SN06,SBD30120SCTB,CJAC60SN11,CJAC90SN12,1SMA59,CJAB60N03,US SERIES,CJAC70SN15,SBD2

商品及供應商介紹  -  長晶科技  - 2020/7/28 中文 下載

新產品

【產品】TO-220封裝的Trench肖特基二極管SBD30100TCTB,反向重復峰值電壓100V,連續正向電流30A

長晶科技的Trench肖特基二極管SBD30100TCTB,反向重復峰值電壓為100V,連續正向電流為30A,不含鹵素,符合RoHS標準。該產品為TRENCH工藝肖特基,具有較低的VF,同時具有優秀的浪涌電流保護能力,可用于開關電源(SMPS),基站電源和DC-DC轉換器等應用。

新產品    發布時間 : 2021-05-31

新產品

【應用】IQ低至0.7μA的LDO CJ6101用于6.5W電子煙項目,有5種小尺寸封裝可選

長晶科技LDO CJ6101擁有超低功耗0.7μA,并且有多種小尺寸封裝,完美匹配電子煙應用。內置限流、短路等多種保護,工作溫度達到-40℃到+85℃,提升了產品可靠性;

應用方案    發布時間 : 2021-05-30

新產品

【產品】長晶科技110V/110A的SGT工藝MOSFET CJAC110SN10,采用PDFNWB5x6-8L封裝

長晶科技的SGT工藝 MOSFET CJAC110SN10,漏源級擊穿電壓為100V,連續漏極電流為110A,不含鹵素,符合RoHS標準。該產品為PDFNWB5x6-8L封裝,相較于TO-252-2L,封裝更小,且厚度僅為1mm。SGT工藝MOSFET,具有較低的RDS(on),同時具有優秀的動態特性參數,可用于PD充電器,電源模塊開關以及同步整流等應用。

新產品    發布時間 : 2021-05-24

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【選型】】長晶科技PMOS CJM1216可兼容替換DMP1005UFDF助力光模塊緩啟動電路設計,解決市場缺貨難題

長晶科技PMOS CJM1216兼容替代Diodes的DMP1005UFDF,兩者有相同的Vds 電壓-12V,針對光膜塊金手指3.3V電源軌,已預留充足余量;CJM1216與DMP1005UFDF的節溫都為-55~150℃,保證MOS管的可靠性;另外兩者柵極的閾值電壓Vgs(th)基本一致,在實際應用時不用更改MOS柵極驅動電路參數;

器件選型    發布時間 : 2021-04-30

新產品

【選型】長晶科技ULN2803達林頓晶體管可在 IPC設備中作為電機驅動芯片使用

長晶科技ULN2803達林頓晶體管驅動能力在150mA--500mA之間,特別適合驅動5V--12V的小型步進電機設備,因此在網絡設備IPC產品中,常常會用到此高性價比的芯片來作為驅動步進電機以實現IPC的掃描功能。

器件選型    發布時間 : 2021-04-29

新產品

【產品】80A/100V的SGT工藝MOSFET CJAC80SN10,采用貼片5*6封裝

長晶科技的SGT工藝 MOSFET CJAC80SN10,漏源級擊穿電壓為100V,連續漏極電流為80A,不含鹵素,符合RoHS標準。該產品為PDFNWB5x6-8L封裝,相較于TO-252-2L,封裝更小,且厚度僅為1mm。

新產品    發布時間 : 2021-04-26

新產品

【產品】Trench肖特基二極管SBD40100TCTB,反向重復峰值電壓100V,非重復正向峰值浪涌電流250A

長晶科技的Trench肖特基二極管SBD40100TCTB,反向重復峰值電壓為100V,連續正向電流為40A,不含鹵素,符合RoHS標準,具有優秀的浪涌電流保護能力。

新產品    發布時間 : 2021-04-21

新產品

【產品】Trench肖特基二極管SBDA30100T,反向重復峰值電壓為100V,連續正向電流為30A

長晶科技的Trench肖特基二極管SBDA30100T,反向重復峰值電壓為100V,連續正向電流為30A,不含鹵素,符合RoHS標準。該產品為PDFNWB5x6-8L封裝,相較于TO-252-2L,封裝更小,且厚度僅為1mm。

新產品    發布時間 : 2021-04-20

新產品

長晶科技多元化的小體積TVS產品可為TWS耳機產品提供靜電防護

長晶科技依據其完善的產品線,同時可提供TWS廠商更多配套的供應,其他可配套的產品有晶振、LDO、分立器件等長晶科技針對目前主流TWS方案,皆有配套靜電防護方案。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-04-17

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產品變更通知及停產信息  -  長晶科技  - 2020年4月30日 中文 下載

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【選型】國產肖特基二極管SK84應用于掃地機,正向壓降典型值0.55V可防反接電流

通常掃地機采用鋰電池組供電,并有相應的電池保護板來防止電池的過流、過充、反接等。在防反接上,本文推薦長晶科技的肖特基二極管SK84,最大反向工作電壓40V,正向平均電流8A,正向壓降典型值0.55V,SMCG封裝,滿足實際需求。

器件選型    發布時間 : 2021-04-03

新產品

【選型】4通道N溝道MOSFET CJFB30H20替代AONU32320用于低壓風機中,滿足系統需求且可降低成本

某風機廠在低壓風機項目的N溝道MOSFET選型中采用了長晶科技的一個四通道N溝道MOSFET CJFB30H20替代進口A品牌N溝道MOSFET AONU32320,節省了布板面積,降低了發熱量,滿足系統需求且降低了成本。

器件選型    發布時間 : 2021-04-02

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江蘇長晶科技有限公司介紹

描述- 江蘇長晶科技有限公司總部坐落于江蘇南京江北新區,榮獲2019年中國半導體功率器件十強企業。該司主營通用及小信號器件、功率器件、電源管理IC、頻率器件、汽車電子等,擁有15000多個產品系列和型號,產品廣泛應用于消費類及工業類電子領域。

型號- SBD SERIES,P6SMB,SMBJ,SMFXXCA,SMAJXXCA,BZT52 SERIE,1SMA47,BAS SERIES,79 SERIES,BAV SERIES,SMBJXXA,SMF47 SERIES,5.0SMDJXXCA,HER SERIES,DBS,78 SERIES,SM

商品及供應商介紹  -  長晶科技 中文 下載

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長晶科技新產品市場規劃與推廣

型號- MB10S,12N65,CJ78XX,1SMA47,SBDF10100SCTB,SMBJXXA,CJAC40N03,CJAB35P03,CJ431,SMF47,SBDF30100TCTB,CJ432,CS008,CJAC110N03,CJB130SN10,SBD30120SCTB,CJAC90SN1

商品及供應商介紹  -  長晶科技  - 2020/7/28 中文 下載

技術資料

江蘇長晶科技產品介紹-----MOSFET

型號- MB10S,12N65,ABS210,CJU50SN10,CJAC40N03,HS-CJAC80N03,CJAB35P03,07N65,CJ431,LS-CJAB25N04,CJAC110N03,CJB130SN10,CJAC65SN15,MSB30M,CJAC90SN12,CJAC65SN10,C

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集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

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2021江蘇長晶科技市場應用機會圖

型號- BZT52B10S,CJAC100SN08,DTC143XUA,CJ13-250000910B20,CJ75L05,ESDU5V0C2,CJAC18SN03,CJB95N07,SK510,CJAB25N04,CJB120SN08,CESD SERIES,B1040WS,CJAC40N04,CJAC

應用及方案  -  長晶科技 中文 下載

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【選型】國產N-MOSFET CJAC13TH06替代AOW66613用于低壓電動閘閥中,電流可達130A且可降低發熱量

華東某閥門大廠在低壓電動閘閥的MOSFET優化升級時,選用了長晶科技的N溝道MOSFAET CJAC13TH06替代原先使用的美系品牌AOW66613。長晶科技的CJAC13TH06供應好,小封裝尺寸節省布線面積,電流ID可達130A且可減少發熱量,可實現對進口產品的國產化替代。

器件選型    發布時間 : 2021-04-02

新產品

【選型】國產N溝道MOSFET CJAC110SN10替代進口產品AONS66917用于低壓外轉子電機直聯驅動離心風機中

浙江某風機廠的低壓外轉子電機直聯驅動離心風機主電路采用六個N溝道MOSFET組成的三相全橋拓撲,原N-MOSFET選型采用的是進口A品牌AONS66917,現客戶選用長晶CJAC110SN10做替代設計,實現對進口品牌的國產化替代。

器件選型    發布時間 : 2021-04-01

新產品

【選型】N溝道MOSFETCJAC200SN04替代AOB2140L用于低壓多級離心泵驅動器,可幫助客戶實現國產化替代

浙江某泵廠在低壓多級離心泵驅動器設計時,采用了進口A品牌AOB2140L,客戶尋求國產產品替代,筆者給客戶推薦了長晶科技N溝道mosfet CJAC200SN03,性能比AOB2144L更有優勢,降低了發熱量,減少了體積,可實現對進口品牌的國產化替代。

器件選型    發布時間 : 2021-03-31

新產品

【選型】國產絕緣性三端雙向可控硅BTA16-600BW+TO-220AK替代ST BTA16用于商場過道磁門的安全檢測

國產品牌長晶科技的絕緣性三端雙向可控硅 BTA16-600BW ,其VDRM 與 VRRM均可為600V電壓,端電流IT(RMS)可達16A,可以作為 BTA16 的有效替代型號。

器件選型    發布時間 : 2021-03-31

新產品

【選型】電流140A的N溝道MOSFET CJAC140SN03可替代AOB2144L用于低壓電動球閥中

在電動球閥三相全橋驅動電機中,長晶科技N溝道MOSFET CJAC140SN03性能上比AOB2144L有優勢且供應好,可實現對進口品牌的國產替代及優化設計。

器件選型    發布時間 : 2021-03-30

新產品

【選型】RDSON 1.8mΩ的N溝道MOSFET CJAC110N03替換AON6502,可優化電動蝶閥設計

國內某閥門廠在電動蝶閥設計中原來使用的是美系品牌AON6502,VDS 30V/ ID 85A,小封裝DFN5X6-8L 。客戶用長晶科技CJAC110N03做優化設計,供應好,性能上比AON6502更有優勢,實現了對進口品牌的國產替代優化設計。

器件選型    發布時間 : 2021-03-28

新產品

【選型】80A的低壓N溝道MOSFET CJAC80N03可替換AON6426,可實現外轉子電機直聯驅動離心風機優化設計

華南某風機廠外轉子電機直聯驅動離心風機中的MOSFET原來使用美系品牌AON6426,VDS 30V/ ID 65A,小封裝DFN5X6-8L 。客戶用長晶科技CJAC80N03做優化設計,性能上比AON6426有優勢,實現了對進口品牌的國產替代及優化設計。

器件選型    發布時間 : 2021-03-28

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【應用】國產雙通道MOSFET替換美系產品用于立式低壓離心泵設計,EAS 70mj可避免瞬態電流能量給器件造成損壞

長晶科技雙通道MOSFET CJBM3020在立式低壓離心泵設計中可替換美系品牌小封裝DFN3X3雙通道MOSFET AON7804,實現國產化替代。EAS 70mj,可有效避免瞬態電流能量給器件帶來的損壞;RDSON 8.5mΩ,大大降低了工作時MOSFET自身發熱,從而使系統長期工作的魯棒性ROBUST有了很大提高。

應用方案    發布時間 : 2021-03-27

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【選型】N溝道MOSFET CJAC40N03可替代AON7426,幫助企業實現國產化替代的需求

長晶科技是長電科技下屬企業,有晶圓廠資源并自有封裝測試廠,使得CJAC40N03交貨有保障,價格便宜,在性能上也比AON7426有優勢,可實現對進口品牌的國產化替代。

器件選型    發布時間 : 2021-03-27

新產品

長晶科技MOSFET和二極管能用于5G基站通信電源的整流及PFC部分,還能用于輸出同步整流電路中

長晶科技致力于為電源工程師提供高效率且穩定的元器件,其生產的二極管和MOSFE可以應用于5G基站電源中的整流 &PFC,功率變換電路,輸出整流/濾波電路中。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-03-25

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【選型】Pin-to-Pin替代MD5333的線性穩壓器 CJ6330A33P,用于智能燃氣表產品的電源設計

在智能燃氣表產品的電源設計中,某客戶選用了明達微的線性穩壓器MD5333,由于交期很長,現貨格上漲,客戶急需一款替代產品,向客戶重點推薦了長晶科技線性穩壓器CJ6330A33P,可Pin-to-Pin替代MD5333。

器件選型    發布時間 : 2021-03-19

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國產功率器件龍頭供應商,角逐PD快充、新能源汽車、5G基站、充電樁、光伏逆變器替換市場

世強硬創電商目前已獲揚杰科技、強茂PANJIT、泰科天潤、長晶科技、無錫紫光微、碩凱電子、檳城電子、電安科技等多家國產功率器件龍頭供應商授權,代理其IGBT、IPM、Si MOS、SiC、GaN FET、FRD、整流橋等品類。 揚杰科技PB系列整流橋、FRED二極管,SiC和MOSFET產品目前在充電樁領域運用廣泛。

活動    發布時間 : 2021-03-15

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長晶科技MOSFET及二極管用于PC電源,國產品牌產品性價比較高

長晶科技MOS及二極管在PC電源的應用目前的PC電源的功率段一般集中在300-700w,而這些電源絕大部分采用PFC+LLC的電路拓撲。以明緯電源為例,下面的電路拓撲中整流&PFC,切換電路(即主功率LLC回路),整流/濾波電路中均有機會使用到長晶的二極管或者MOSFET。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-03-12

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【選型】CJT1117B-3.3可兼容替換LM1117MPX-3.3/NOP,適合FTU產品設計,最大輸出電流1A

在FTU產品設計中,DCDC電源后一般接線性穩壓器給后級供電,不少廠商會選擇TI的LM1117IMPX-3.3/NOP,但隨著國產化需求日益增多,急需國產P2P兼容物料替換。長晶科技線性穩壓器CJT1117B-3.3可兼容替換LM1117IMPX-3.3/NOP。

器件選型    發布時間 : 2021-02-01

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【應用】CMOS低壓差線性穩壓器CJ6101適合藍牙耳機設計應用,Iq低至0.7μA,連續輸出電流可達300mA

長晶科技LDO CJ6101擁有超低功耗0.7μA,并且有多種小尺寸封裝,非常適合藍牙耳機應用,其輸入電壓范圍為1.8V~8V,滿足電池供電設備要求,輸出電壓精度為2%/1%,并且有良好的瞬態響應、高PSRR值50dB@10kHz及低輸出噪聲27μVRMS(10Hz~100kHz),有效保證輸出電壓穩定

器件選型    發布時間 : 2021-01-31

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【選型】100V/180A的電動車充電器NMOS推薦CJP180SN10,具有2.5mR的低導通電阻

長晶科技生產型號為CJP180SN10的NMOS在導通電阻僅有2.5mR的前提下,做到了100V耐壓、180A電流,非常適合客戶對電動車充電器產品升級的需求,應用匹配度較高。

器件選型    發布時間 : 2021-01-12

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【應用】長晶科技充電管理芯片CJ4054應用于智能手環設計,體積小且外圍電路簡單

長晶科技充電管理芯片CJ4054是專為USB電源供電設計,并且SOT小封裝和外圍電路簡單等優勢非常適合空間有限的智能手環應用。

應用方案    發布時間 : 2020-12-29

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【選型】國產低壓差LDO可P2P替代TI的TLV75733PBDVR,PSRR高達72dB@1kHz

在LoRa智能網關產品的電源設計中,某客戶選用了TI的低壓差LDO TLV75733PBDVR,由于交期長且成本上漲,本文重點推薦長晶科技低壓差LDOCJ6107B33M,PSRR高達72dB@217Hz,可Pin-to-Pin替代TLV75733PBDVR。

器件選型    發布時間 : 2020-12-25

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長電科技分立器件部門成立長晶科技公司,主營二/三極管、晶振、MOSFET、電源管理、運放等產品

近日,長晶科技簽約世強硬創電商,授權世強代理旗下所有產品系列和型號,涵蓋二極管、三極管、MOSFET、LDO、DC-DC、頻率器件、功率器件等品類。長晶科技擁有國內高密度集成電路國家工程實驗室、國家級企業技術中心、博士后科研工作站等,長期為集成電路封裝測試企業提供從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業生產服務。在頻率器件產品領域,長晶科技自主研發設計生產出1612、2016小尺寸晶振,具備著超

公司動態    發布時間 : 2020-12-23

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【選型】Pin-to-Pin替代ME6211C33M5的低壓差LDO CJ6211B33M,PSRR達80dB@1kHz

長晶科技低壓差LDO CJ6211B33M,PSRR高達80dB@1kHz,可Pin-to-Pin替代ME6211C33M5,具有更低的成本和更好的供貨周期,可快速支持樣品和后續量產服務。

器件選型    發布時間 : 2020-12-18

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【選型】N溝道功率MOSFET CJAC70SN15可Pin to Pin替換TPH1500CNH,無需更改PCB

長晶科技CJAC70SN15采用DFN5×6-8L封裝(與東芝TPH1500CNH的封裝相同),耐壓150V,典型RDS(ON)為10mR,比東芝TPH1500CNH內阻更小,能夠有效減小產品導通損耗和發熱,可Pin to Pin替換東芝TPH1500CNH,無需更改產品PCB。

器件選型    發布時間 : 2020-12-16

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【產品】采用SOD-323封裝的雙向ESD保護二極管ESDBM24VD3,可替代消費類設備應用中的多層壓敏電阻

長晶科技推出的ESDBM24VD3是采用SOD-323塑封的雙向ESD保護二極管,用于保護電壓敏感的電子組件免受ESD和其他瞬變的影響。出色的鉗位能力、低泄漏、標稱電容和快速響應的特點可為其暴露于ESD設計提供一流的保護。

新產品    發布時間 : 2020-12-15

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【產品】雙N溝道CSP增強模式功率MOSFET CJ4412SP,源極到源極電壓20V,源極電流5A

CJ4412SP是長晶科技推出的一款雙N溝道CSP增強模式功率MOSFET,源極到源極電壓20V,源極電流5A,典型源極到源極導通電阻30mΩ(@VGS =4.5V, Is =3A),通道溫度可高達150℃,CSPB1111-4封裝。

新產品    發布時間 : 2020-12-14

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【產品】雙N溝道CSP增強模式功率MOSFET CJ4611SP,源極到源極電壓20V,源極電流7A

CJ4611SP是長晶科技推出的一款雙N溝道CSP增強模式功率MOSFET,源極到源極電壓20V,源極電流7A,典型源極到源極導通電阻22mΩ(@VGS =4.5V, Is =3A),通道溫度可高達150℃,CSPB1313-4封裝。

新產品    發布時間 : 2020-12-14

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【產品】雙向ESD保護二極管ESDHBL5V0AE1,結電容典型值低至20pF

長晶科技推出的雙向ESD保護二極管ESDHBL5V0AE1,設計用于保護電壓敏感的電子組件免受ESD和其他瞬態的影響。ESDHBL5V0AE1具有出色的鉗位特性,低漏電流,低電容和快速響應時間,為敏感電子器件免受ESD影響提供一流的保護。

新產品    發布時間 : 2020-12-13

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【產品】雙向ESD保護二極管ESDBL12VA1,峰值脈沖功率達84W,峰值脈沖電流達3.5A

長晶科技推出的雙向ESD保護二極管ESDBL12VA1,可保護電壓敏感的電子組件免受ESD和其他瞬態的影響,具有出色的鉗位特性,低漏電流,低電容和快速響應時間。

新產品    發布時間 : 2020-12-12

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【產品】雙N溝道CSP增強模式功率MOSFET? CJ4616SP,源極到源極電壓15V,漏極電流8A

CJ4616SP是長晶科技推出的一款雙路N溝道CSP增強模式功率MOSFET,源極到源極電壓15V,源極電流8A,典型源極到源極導通電阻14mΩ(@VGS =4.5V, Is =3A),通道耐受溫度可高達150℃,采用CSPB1515-4封裝。該產品具有極低的導通電阻,低的柵極電荷。

新產品    發布時間 : 2020-12-12

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【產品】柵極具有ESD保護的N溝道MOSFET CJBA3134K,耗散功率最大額定值僅為100mW

長晶科技推出的CJBA3134K是采用DFN1006-3L塑封的N溝道MOSFET。該器件采用表面貼片封裝,低邏輯電平柵極驅動運行,具有低漏源導通電阻。該器件能夠承受260°C/10s高溫焊接,適用于負載/電源開關等領域。

新產品    發布時間 : 2020-12-11

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【產品】SOT-23-3L塑封P溝道MOSFET CJK1211,可用于PWM應用和負載開關等

長晶科技推出的CJK1211型SOT-23-3L塑封P溝道MOSFET,是一款增強型場效應晶體管。CJK1211采用先進的溝槽MOSFET工藝技術,具有超低導通電阻和低柵極電荷。MOSFET可用于PWM應用,負載開關和手機電池充電等領域。

新產品    發布時間 : 2020-12-10

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【產品】雙向ESD保護二極管ESDSU5V0A1,可保護電壓敏感電子組件免受ESD和其他瞬變電壓的沖擊

長晶科技推出的ESDSU5V0A1型雙向ESD保護二極管,設計用于保護電壓敏感電子組件免受ESD和其他瞬變電壓的沖擊。該保護二極管具有出色的鉗位能力,低泄漏電流,低電容和快速響應特性,能夠為敏感的電子器件提供一流的保護。

新產品    發布時間 : 2020-12-09

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【產品】采用TSSOP8塑封的雙N溝道MOSFETCJS2016,能夠承受260°C/10s高溫焊接

長晶科技推出的CJS2016是一款采用TSSOP8塑封的雙N溝道MOSFET。該器件采用TrenchFET功率技術,具有出色的漏源導通電阻RDS(on)和低柵極電荷。MOSFET具有高功率和電流承受能力,適合用作電池保護,負載開關和電源管理等領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-27

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【產品】CJ4610SP雙路N溝道增強型功率MOSFET,采用CSPB1313-4封裝,柵極電壓低至2.5V

長晶科技推出的CJ4610SP是一款采用CSPB1313-4封裝的雙路N溝道增強型功率MOSFET。采用先進的溝槽工藝技術,具有出色的靜態源-源導通電阻RSS(ON)和低柵極電荷。柵極電壓低至2.5V,具有12V柵源電壓最大額定值 VGS。

新產品    發布時間 : 2020-11-26

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長晶科技主營二/三極管、MOSFET、晶振、電源管理、運放等產品

長晶科技是一家以自主研發、銷售服務為主體的半導體產品研發、設計和銷售公司,擁有國內高密度集成電路國家工程實驗室、國家級企業技術中心、博士后科研工作站等,長期為集成電路封裝測試企業提供從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業生產服務。長晶科技自主研發生產的MOSFET已正式進入華為無線快充供應鏈,成為華為27W超級快充無線車載支架的主要供應商。近日,長晶科技正式簽約授權世強硬創電商,涵蓋二極管、三

公司動態    發布時間 : 2020-11-25

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【產品】N溝道功率MOSFET CJFB30H20,采用DFNWB5×6-8L-E封裝,最大漏源電壓30V

長晶科技推出的CJFB30H20,內部集成四個N溝道功率MOSFET,為DFNWB5×6-8L-E塑料封裝。該器件使用先進的溝槽技術來提供超低的導通阻抗和低柵極電荷。可以被應用到多種場合。

新產品    發布時間 : 2020-11-24

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【產品】采用DFN1006-3L-A塑封的N溝道MOSFET CJBB3134K,可在低邏輯電平柵極驅動器上運行

長晶科技推出的CJBB3134K是DFN1006-3L-A塑封N溝道MOSFET,可在低邏輯電平柵極驅動器上運行,柵極具有ESD保護。MOSFET具有無鉛產品可選,可用于負載/電源開關,接口開關,超小型便攜式電子產品電池管理等領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-23

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【產品】6.3V反向關斷電壓,單向ESD保護二極管ESDM6V3A1

長晶科技推出的ESDM6V3A1型單向ESD保護二極管,DFNWB1.0X0.6-02L塑料封裝,設計用于保護電壓敏感電子組件免受ESD和其他瞬變電壓的沖擊。該二極管具有出色的鉗位能力,低泄漏電流,低電容和快速響應特性,能夠為敏感的電子器件提供一流的保護。

新產品    發布時間 : 2020-11-22

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【產品】N溝道+P溝道MOSFET CJDE8404,采用DFNWB3×3-8L-U塑封,耗散功率為3W

長晶科技推出的CJDE8404是一款集成了N溝道和P溝道MOSFET的增強型MOSFET。產品采用DFNWB3×3-8L-U封裝,具有高正向傳輸導納和低漏電流特性,可用于便攜式設備和電機驅動等領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-22

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【產品】P溝道MOSFET CJBB3139 ,漏源電壓最大值為-20V,柵源電壓最大值為±12V

長晶科技推出的CJBB3139K是DFN1006-3L-A塑封P溝道MOSFET,可在低邏輯電平柵極驅動器上運行,柵極具有ESD保護。MOSFET具有無鉛產品可選,可用于負載/電源開關,接口開關,超小型便攜式電子產品電池管理等領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-21

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【產品】CJCD2007雙N溝道MOSFET,采用DFNWB2×3-6L-C塑封,適用于單向或雙向負載開關

長晶科技推出的CJCD2007是DFNWB2×3-6L-C塑封雙N溝道MOSFET,使用先進的溝槽工藝技術,具有低漏源導通電阻RDS(ON)和低柵極電荷。MOSFET具有ESD保護,共漏極配置,適合用作單向或雙向負載開關。

新產品    發布時間 : 2020-11-21

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

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長晶科技Trench肖特基二極管系列,VF比同規格的普通平面肖特基產品降低 25% 左右

長晶科技基于TRENCH原理,也大力開發了多種規格的Trench肖特基產品,同規格情況下,對比普通平面肖特基產品,VF可降低 25% 左右,反向漏電流IR更小(NA表示大于10000uA),因此產品可靠性和效率更高。

廠牌及品類    發布時間 : 2020-11-21

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【產品】CJAB20N03 N溝道功率MOSFET,采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封,漏源電壓最大為30V

長晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N溝道功率MOSFET,采用先進的溝槽技術設計,具有低柵極電荷和漏源導通電阻。該器件封裝具有良好的散熱性,適用于多種應用,包括SMPS,硬開關和高頻電路,不間斷電源等領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-20

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【產品】采用DFN1006-3L塑封的P溝道MOSFET CJBA3139K,漏源電壓最大額定值為20V,可提供無鉛產品

長晶科技推出的CJBA3139K是DFN1006-3L封裝的塑封P溝道MOSFET,可在低邏輯電平柵極驅動器上運行,柵極具有ESD保護功能,有無鉛產品可選,可用于負載/電源開關,接口開關,超小型便攜式電子產品電池管理等領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-15

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【產品】高效率整流二極管US1XL,SOD-123FL塑料封裝,工作結溫和儲存溫度范圍是-55~+150°C

US1AL、US1BL、US1DL、US1GL、US1JL、US1KL、US1ML是長晶科技推出的高效率整流二極管,采用SOD-123FL塑料封裝,工作結溫和儲存溫度范圍都為-55~+150°C,可用于整流器領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-14

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【產品】SOT-363塑封雙N溝道MOSFET 2N7002DW,適用于便攜式設備和DC/DC轉換器

長晶科技的2N7002DW是SOT-363塑封雙N溝道MOSFET的壓控小信號開關,采用高密度單元設計可實現超低導通電阻,具有高可靠耐用和高飽和電流承受能力的特點。可以作為便攜式設備的負載開關以及DC/DC轉換器。

新產品    發布時間 : 2020-11-13

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【產品】通用整流二極管DSR1X,SOD-123FL塑料封裝,反向重復峰值電壓最大1000V

DSR1A、DSR1B、DSR1D、DSR1G、DSR1J、DSR1K、DSR1M是長晶科技推出的通用整流二極管,采用SOD-123FL塑料封裝,工作結溫和儲存溫度范圍都為-55~+150°C,耐高/低溫性能出色,可用于整流器領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-13

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【產品】雙向ESD保護二極管ESDBM7V0A1,1.0mm×0.6mm×0.5mm封裝,反向關斷電壓為7V

ESDBM7V0A1是長晶科技推出的雙向ESD保護二極管,它被設計用于保護電壓敏感的電子組件免受ESD和其他瞬變的影響。出色的鉗位能力,低泄漏,低電容和快速響應時間為暴露于ESD設計提供了一流的保護。

新產品    發布時間 : 2020-11-12

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【產品】SOT-89-3L塑封MOSFET CJA9451,漏源電壓最大額定值為-20V,可用于快速開關和加固器件設計

長晶科技推出的CJA9451是SOT-89-3L塑封的P溝道先進功率MOSFET,為設計者提供了快速開關、加固器件設計、超低導通電阻和成本效益的最佳組合。

新產品    發布時間 : 2020-11-12

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【產品】SOT-563塑封雙路N溝道MOSFET 2N7002V,可用于便攜式設備的負載開關和DC/DC轉換器

長晶科技推出的2N7002V是SOT-563塑封雙路N溝道MOSFET,具有低導通電阻、低柵極閾值電壓、低輸入電容、快速開關和低輸入/輸出漏電流的特點。可以作為便攜式設備的負載開關,以及DC/DC轉換器。

新產品    發布時間 : 2020-11-11

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【產品】PNP+NPN型雙晶體管UMF5N,支持自動化貼裝

長晶科技(JSCJ)推出的UMF5N是一款PNP+NPN型雙晶體管,采用SOT-363塑料封裝,在一個封裝中包含了PNP型晶體管2SA2018和內置電阻型NPN數字晶體管DTC144E,兩個晶體管相互獨立,互不干擾。這種組合封裝設計能夠使安裝所需的成本和面積減半。

新產品    發布時間 : 2020-11-10

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【產品】通用整流二極管S1XL,采用SOD-123FL塑料封裝,可用于整流器領域

S1XL是長晶科技推出的通用整流二極管,其VRRM(反向重復峰值電壓)最大可達1000V,非重復正向浪涌電流最大額定值為30A(60Hz,半正弦波,1個周期,Ta=25℃),具有高浪涌電流能力。采用SOD-123FL塑料封裝,可用于整流器領域。

新產品    發布時間 : 2020-11-09

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【產品】內置電阻的NPN+PNP雙數字晶體管UMD10N,每個晶體管的耗散功率均為150mW

長晶科技(JSCJ)推出的UMD10N是一款內置電阻的雙數字晶體管,采用SOT-363封裝,在一個封裝中包含了NPN數字晶體管DTC123J和PNP數字晶體管DTA123J,每個晶體管的耗散功率150mW,兩個晶體管相互獨立,互不干擾,可使所需的成本和面積減半。

新產品    發布時間 : 2020-11-08

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【產品】1A 超快恢復整流二極管ES1XL,采用SOD-123FL塑料封裝,反向重復峰值電壓最大600V

ES1AL、ES1BL、ES1CL、ES1DL、ES1EL、ES1GL、ES1JL是長晶科技推出的采用SOD-123FL塑料封裝的超快恢復整流二極管,具有高浪涌電流能力,可用于整流器領域。此外,器件VRRM(反向重復峰值電壓)最大可達600V,最大RMS電壓為420V,工作結溫和儲存溫度范圍都為-55~150°C。

新產品    發布時間 : 2020-11-07

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【產品】內置電阻型NPN+PNP雙數字晶體管UMD12N,采用SOT-363封裝,每個晶體管耗散功率150mW

長晶科技(JSCJ)推出的UMD12N是一款內置電阻型雙數字晶體管,采用SOT-363封裝,在同一封裝中包含了DTC144E NPN數字晶體管和DTA144E PNP數字晶體管,兩個晶體管相互獨立,互不干擾。這種組合封裝設計能夠使安裝所需的成本和面積減半。

新產品    發布時間 : 2020-11-06

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【產品】快恢復整流二極管RS1AL/BL/DL/GL/JL/KL/ML,VRRM 1000V,SOD-123FL塑料封裝

RS1AL/BL/DL/GL/JL/KL/ML系是長晶科技推出的快恢復整流二極管,采用SOD-123FL塑料封裝,具有高浪涌電流能力,可用于整流器領域。VRRM最大可達1000V,工作結溫和儲存溫度范圍都為-55~150°C,能夠在不同溫度環境下工作。

新產品    發布時間 : 2020-11-04

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【產品】N溝道+P溝道MOSFET CJ3439KDW,采用SOT-363表面貼片塑料封裝,柵極帶有ESD保護

長晶科技推出的CJ3439KDW是一款N溝道+P溝道MOSFET。產品采用SOT-363表面貼片塑料封裝,單個器件集成N溝道CJ3134K和P溝道CJ3139K。低邏輯電平就可以驅動MOSFET的柵極工作,且柵極帶有ESD保護……

新產品    發布時間 : 2020-11-03

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【產品】采用SOT-363封裝的N溝道MOSFET和肖特基勢壘二極管CJ7203KDW,反向恢復時間的典型值僅30ns

長晶科技推出的CJ7203KDW是一款N溝道MOSFET和肖特基勢壘二極管。產品采用SOT-363封裝,具有極低的導通電阻,反向恢復時間短至可忽略,可用于便攜式設備的負載開關和DC/DC換流器等領域。此外,器件的工作結溫可達-40~125°C;存儲溫度范圍為-55~150°C,能夠在不同溫度環境下工作。

新產品    發布時間 : 2020-10-31

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【選型】長晶科技MOSFET及二極管在LED電源中的應用推薦

目前市面上的小功率段LED電源的功率段一般100W以內,而這些電源都是采用FLYBACK的電路拓撲。以雷士LED電源為例,整流/開關電路中均有機會使用到長晶科技的二極管或者MOSFET.

器件選型    發布時間 : 2020-10-30

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【選型】長晶科技MOSFET及二極管在PC電源的應用

長晶MOSFET與二極管在PC電源的應用,以明緯電源為例,電路拓撲中整流&PFC,切換電路(即主功率LLC回路),整流/濾波電路中均有機會使用到長晶的二極管或者MOSFET。

器件選型    發布時間 : 2020-10-29

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【選型】CJ6211系列替代WL2836和RP114,帶載能力500mA,PSRR可達80Db

長晶科技推出了一款高PSRR,高性價比的LDO CJ6211系列,可完美替代WL2836、RP114。低輸出噪聲壓差低:50 mV@100mA;低靜態電流:50μA;高紋波抑制:80 dB@10kHz;良好的線和負載瞬態;內置限流器、短路保護機制

器件選型    發布時間 : 2020-10-28

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【產品】S0P8塑封MOSFET CJQ7328,柵源電壓最大額定值為±20V,可用于電池和負載管理

長晶科技推出的CJQ7328是S0P8塑封MOSFET,采用先進的加工技術,具有極低的導通電阻。MOSFET采用器件加固設計,具有高效率和高可靠性,可用于電池和負載管理。

新產品    發布時間 : 2020-10-16

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【產品】采用SOT-23-5L封裝的DC-DC降壓開關穩壓器CJ9219,最高輸出電流可達2A

長晶科技生產的CJ9219是一種高效率DC-DC降壓開關穩壓器,能夠提供高達2A的輸出電流。該器件的輸入電壓范圍為2.5V至5.5V,輸出電壓范圍為-0.3V至6V,是低壓功率轉換的理想選擇。

新產品    發布時間 : 2020-10-15

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【產品】輸出電流高達1A的DC-DC降壓開關穩壓器CJ9218,轉換效率高達96%

長晶科技推出的CJ9218 是一款高效率的DC-DC降壓開關穩壓器,能夠提供高達1A的輸出電流。 CJ9218的輸入電壓范圍為2.7V至5.5V,因此能夠在兩種低壓電源之間轉換。

新產品    發布時間 : 2020-10-15

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【產品】TO-263-2L塑封MOSFETS CJB150SN10,接通延遲時間23ns,上升時間32ns

長晶科技推出的CJB150SN10是TO-263-2L塑封MOSFET,采用屏蔽柵溝技術進行設計,以提供良好的RDS(ON)和低柵電荷。它可以用于各種各樣的應用,例如高效電源。額定電壓100V,電流150A,電阻RDS(ON)3.4mΩ@10V。擁有低RDS(ON)、低柵電荷特點。

新產品    發布時間 : 2020-10-12

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【產品】具有PN結保護環的BAT54W SOD-123肖特基勢壘二極管,可用于瞬態和ESD保護

長晶科技推出BAT54W肖特基勢壘二極管,反向RMS最大額定值為21V, 直流阻斷電壓最大額定值為30V。采用SOD-123小型塑料封裝,具有低正向壓降和高速開關特性。工作結溫范圍為-40~125℃,存儲溫度范圍為-55~150℃,能夠在不同環境下,保持正常工作。

新產品    發布時間 : 2020-10-11

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【產品】采用SOD-323塑封的齊納二極管BZT52C5V1HS,功耗最大額定值僅500mW

長晶科技推出的齊納二極管BZT52C5V1HS,齊納電壓范圍寬至5.1~5.5V(IZT=5mA條件下)。采用SOD-323塑封,功耗最大額定值僅500mW。工作結溫和存儲溫度寬至-55~+150℃,能夠在不同條件下可靠工作。

新產品    發布時間 : 2020-10-10

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【產品】MBRB20100CT-B型肖特基勢壘整流器,采用TO-263-2L塑封

長晶科技推出的MBRB20100CT-B型肖特基勢壘整流器,采用TO-263-2L塑封。器件具有低功耗,高效率,高電流承受能力和低正向壓降等特性,工作結溫范圍為-40~+125℃。

新產品    發布時間 : 2020-09-25

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國內領先的的分立器件研發企業:長晶科技(JSCJ)

世強是長晶官方授權一級分銷商,全線代理長晶旗下所有產品,庫存豐富,正品保證。用戶可以查詢獲取來自長晶的最新產品和技術資訊、官方資料庫,以低于行業的價格,購買長晶最新元器件和零件產品,享受供貨保障。長晶科技是一家專注于功率器件、分立器件、頻率器件、電源管理芯片、汽車電子等產品的研發制造商,擁有15000多個產品系列和型號,廣泛應用于各消費類、工業類電子領域。

供應商資源    發布時間 : 2020-09-08

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【產品】可代替MLVs的瞬態抑制二極管ESDBF3V3A1,為板級保護提供理想電氣特性

長晶科技的瞬態抑制二極管ESDBF3V3A1可用來代替便攜式應用(例如手機,TWS、手環等)中的多層壓敏電阻(MLVs)。與MLVs相比,它的特點是更大芯片接觸面積,用于傳導高的瞬態電流,為板級保護提供理想的電氣特性,如快速響應時間、較低的工作電壓、較低的箝位電壓和無器件退化,除了基礎的防靜電功能針對浪涌也有很好的防護。

新產品    發布時間 : 2020-08-31

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【產品】CMOS正壓線性穩壓器CJ6211系列,非常適用于電池供電設備

長晶科技的CJ6211是一款高紋波抑制、超低噪聲、低功耗、低壓降的CMOS正壓線性穩壓器,5μA可延長便攜式電子產品的電池壽命;80dB@10KHZ高紋波特性可用于聲音圖像等傳感器模塊。外圍配套使用低ESR陶瓷電容器,減少了電源應用所需的電路板空間。該系列非常適用于電池供電設備,如射頻應用和其他需要靜態電源的系統。

新產品    發布時間 : 2020-08-30

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【產品】CMOS正壓線性穩壓器CJ6206系列,適用于電池供電設備及靜態電源的系統

長晶科技CJ6206是一款低功耗、低壓降、高紋波抑制、低噪聲的CMOS正壓線性穩壓器。5μA待機功耗可延長便攜式電子產品的電池壽命。外圍配套使用低ESR陶瓷電容器,減少了電源應用所需的電路板空間。CJ6206系列在關機模式下功耗小于0.1μA,快速開啟時間小于50μS。該系列非常適用于電池供電設備,如射頻應用和其他需要靜態電源的系統。

新產品    發布時間 : 2020-08-29

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【產品】耐壓30V的N+N雙MOSFET CJBD3020,可用于直流負載開關以及高頻開關

長晶科技推出的CJBD3020是一款開啟電壓在1.0~3.0V范圍內的N+N雙MOSFET,可提供20A的最大傳輸電流。保證優秀導通電阻的同時,提供較低的柵極電荷,具有較高的電流處理能力和交流開關特性,支持應用于直流負載開關以及高頻開關應用。

新產品    發布時間 : 2020-08-28

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【產品】20A/100V的肖特基二極管SBD20100TCTB,TO-220/TO-220F封裝

SBD20100TCTB是長晶科技推出的一款20A/100V的肖特基二極管,TO-220/TO-220F封裝,采用溝槽MOS工藝,實現超低VF值,主要應用于50W以內的開關電源適配器,在12V/3.3A電源實測效率接近89%;溫升比同規格常規產品低10℃。

新產品    發布時間 : 2020-08-27

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【產品】40V/25A/7.5mΩ的N溝道MOSFET CJAB25N04S,采用先進的溝槽工藝

長晶科技(JSCJ)推出的CJAB25N04S是一款開啟電壓在1.0~2.5V范圍內的N溝道MOSFET,可提供25A的最大傳輸電流。保證優秀導通電阻的同時,提供較低的柵極電荷,具有較高的電流處理能力和交流開關特性,支持應用于直流負載開關以及高頻開關應用。40V的耐壓較30V更具應用優勢,常見于無線充快充和移動電源。

新產品    發布時間 : 2020-08-26

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