Innoscience

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英諾賽科(Innoscience)— 世界領先的8英寸硅基氮化鎵產業化平臺。英諾賽科Innoscience是第三代半導體電力電子器件研發與生產的高科技企業。主要產品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件,產品設計及性能均達到國際先進水平。英諾賽科Innoscience的IDM產業化模式及其首創的8英寸硅基氮化鎵功率與射頻器件大規模量產線使其產品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優勢。    查看更多

INNOSCIENCE產品選型幫助

請提交您的研發和選型或參數需求,上千位世強和原廠的應用和技術專家將為您選擇最合適的器件,材料,模塊等,以協助您快速完成設計,達成功能最優,價格最優,供應最優,實現最優的元器件及方案選擇。技術專家會在48小時內響應。

選型幫助  -  INNOSCIENCE

技術資料

【選型】英諾賽科(Innoscience)E-Mode GaN FET選型指南

描述- 英諾賽科(Innoscience)單管GaN FET:最小尺寸1x1mm,WLCSP、ECP、TOLL、DFN多種封裝,配合驅動IC使用

型號- INN60W01,INN100E01,INN650D01,INN650D02,INN40E01,INN40W01,INN40W03,INN100W03,INN40W02,INN100W01,INN100W02

選型指南  -  英諾賽科  - Rev.2.0 - 2019年8月 英文 下載

技術資料

英諾賽科(Innoscience)INN650D01—650V 增強型氮化鎵場效應晶體管 數據手冊

描述- INN650D01—650V E-Mode GaN FET Development Datasheet

型號- INN650D01

數據手冊  -  英諾賽科  - Version 1.0 英文 下載

新產品

Innoscience Built The First World-class 8-inch Wafer FAB with Gold-free and CMOS Compatible Process

Innoscience has a world-leading 8-inch GaN-on-Si industrialization platform, which provides proven capabilities of GaN epitaxial growth, gold-free and CMOS compatible process, as well as reliability testing and failure analysis.

新產品    發布時間 : 2021-06-29

技術資料

英諾賽科(Innoscience)官方授權代理證明/分銷協議/授權書

描述- 世強是英諾賽科(Innoscience)官方授權一級代理商,代理英諾賽科(Innoscience)旗下硅基氮化鎵功率與射頻器件等產品,庫存豐富,正品保證。用戶可以查詢獲取來自英諾賽科(Innoscience)的最新產品和技術資訊、官方資料庫,以低于行業的價格,購買英諾賽科(Innoscience)最新產品,享受供貨保障。

代理證明  -  英諾賽科  - 2018年11月6日 中文 下載

新產品

【應用】一文看懂英諾賽科33W超迷你氮化鎵快充

迷你快充的功率已從20W提升到了33W,如何在20W的體積內升級到33W,成為了新的難題。英諾賽科推出的氮化鎵器件INN650DA04,通過多方位的優化,成功實現了超迷你的33W氮化鎵快充設計。

應用方案    發布時間 : 2021-05-21

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

技術資料

英諾賽科(Innoscience)公司及產品介紹

描述- 英諾賽科科技有限公司(Innoscience)是2015年12月由海歸團隊發起,并集合了數十名國內外精英聯合創辦的氮化鎵半導體研發與生產的高科技企業。公司的主要產品包括30V-650V氮化鎵功率器件以及射頻器件。

商品及供應商介紹  -  英諾賽科 中文 下載

技術資料

商品及供應商介紹  -  英諾賽科 中文 下載

新產品

【應用】杰華特聯合英諾賽科推出升級版120W氮化鎵快充方案,體積同65W快充,最高效率94.3%

近日杰華特與英諾賽科聯合推出升級版120W快充方案,基于杰華特ACF控制器JW1550和英諾賽科氮化鎵場效應晶體管產品INN650D01+INN650D02A,在高功率快充方案上全面升級,打造120W快充高端標配。

應用方案    發布時間 : 2021-05-14

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用戶指南  -  英諾賽科  - V1.0 - 2019.1.10 中文 下載

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用戶指南  -  英諾賽科  - V1.0 - 2019.1.9 中文 下載

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商品及供應商介紹  -  英諾賽科  - July, 2020 中文 下載

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產品變更通知及停產信息  -  英諾賽科  - 1.0 - 2021/07/22 英文 下載

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培訓文檔-商品應用及供應商介紹  -  英諾賽科 中文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Version 1.0 - Nov, 2018 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Version 1.0 - Nov, 2018 英文 下載

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Innoscience INN650D02 60W PD Power-QR

型號- MSB40M,HUSB339,INN650D01,INN650D02,MMBTA42,1N4148WS-7-F,1N5819,EL1018,HGN070N12SL,BAS516

電路原理圖  -  英諾賽科  - RV.1 - 2019-5-20 英文 下載

新產品

全球領先氮化鎵IDM企業英諾賽科發力33W GaN快充,大幅降低系統與生產成本

相比20W快充,30W快充在小型化、溫度、安規等方面的挑戰更大。針對這一行業痛點,英諾賽科開始發力,InnoGaN在實現高效率和小尺寸方面明顯優于傳統硅MOS方案,價格也具有極大優勢,供貨也穩定,搭配簡潔的設計和布局,輕松實現33W迷你氮化鎵快充的開發。

廠牌及品類    發布時間 : 2021-04-14

技術資料

數據手冊  -  英諾賽科  - Version 1.0 - Nov, 2018 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Nov, 2018 - Version 1.0 英文 下載

技術資料

數據手冊  -  英諾賽科  - Version 1.0 - Nov, 2018 英文 下載

新產品

碳化硅寫入十四五規劃,大功率快充電源市場成為第三代半導體突破口

今年三月,第三代半導體被列入十四五規劃,適合第三代半導體發展的環境逐步形成。目前市場上可用于大功率USB PD快充電源領域的碳化硅有五家供應商,其中泰科天潤、美浦森和森國科均已有量產項目;氮化鎵方面,英諾賽科的氮化鎵開關管也多次導入行業熱門項目。

行業資訊    發布時間 : 2021-04-14

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英諾賽科(Innoscience)INN650D02—650V GaN增強型功率晶體管數據手冊

描述- INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet

型號- INN650D02

數據手冊  -  英諾賽科  - Rev.1.0 - 2020年03月10日 英文 下載

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Innoscience INN650D02 60W PD Reference Design with InnoGaN?

型號- HUSB339,PX471M025E150P,1N4148W,DMP3007SCG-7,HGN070N12SL,MM5Z6V2ST1G,NCP4306DAD,1N4148WS,NCP1342AMDCDAD1R2G,MSB40M,NCP1342,MMBTA42,KM300V400G220A00H,NC

應用筆記或設計指南  -  英諾賽科  - Rev.1.6 - October, 2019 英文 下載

新產品

【產品】650V增強型氮化鎵功率晶體管INN650DA01,覆蓋100-300W的AC-DC電源應用

英諾賽科(Innoscience)推出的INN650DA01是650V增強型氮化鎵功率晶體管,也是第二代的新產品,采用DFN 5×6封裝,漏源導通電阻最大值僅130mΩ,可以覆蓋100-300W的AC-DC電源應用。

新產品    發布時間 : 2021-03-16

新產品

【產品】650V增強型氮化鎵功率晶體管INN650DA04,Tj=25℃時漏源導通電阻最大400mΩ

英諾賽科新推出的INN650DA04是采用DFN 5×6封裝的650V增強型氮化鎵功率晶體管,漏源導通電阻最大值為400mΩ(Tj=25℃時),具有零反向恢復電荷的特點,適合做30-45W的充電器。

新產品    發布時間 : 2021-03-11

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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新產品

【產品】英諾賽科新推650V增強型氮化鎵功率晶體管INN650DA02,采用DFN 5X6封裝

英諾賽科(Innoscience)推出的INN650DA02是650V增強型氮化鎵功率晶體管,是英諾賽科第二代的200mohm新產品,采用比前一代DFN 8x8更小的DFN 5X6封裝,在減小占板面積的同時能保持高效率并降低成本。

新產品    發布時間 : 2021-03-10

新產品

2020年09月汽車電子&無人駕駛及新能源汽車與新材料 | 世強硬創新產品研討會

觀看&下載9月25日 研討會視頻及講義。ROHM、Renesas、EPSON、SILICON LABS等品牌在線發布主控芯片(MCU & SOC),功率器件(SIC, GaN FET,MOSFET),數字隔離,傳感器,電機驅動,時鐘,天線,電池,連接器,散熱材料(熱管,VC)等。

行業資訊    發布時間 : 2021-02-01

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商品及供應商介紹  -  英諾賽科  - 2019年1月 中文 下載

新產品

【應用】國產100V GaN FET用于激光雷達,脈沖電流高達110A,有效實現光探測與測距

本文推薦介紹國產英諾賽科的GaN FET INN100W12,非常適用于激光雷達,能夠有效實現光探測與測距。Vds耐壓為100V,適用48V系統,柵極電荷Qg僅為5.2nC,同時脈沖電流能力達到110A,采用WLCSP 3×5封裝,尺寸僅為2.5mm×1.5mm。

應用方案    發布時間 : 2021-01-06

技術資料

產品變更通知及停產信息  -  英諾賽科  - 1.0 - 2021/07/22 英文 下載

新產品

?揚杰科技推出全新大功率6.6KW/DO-218AB TVS器件,可快速抑制汽車發電機Load Dump

12月23日,世強硬創新產品在線研討會--汽車電子專場圓滿結束。揚杰科技、泰科天潤、遠見電子等19家國產品牌參與會議,圍繞功率保護器件、總線器件、連接器、阻容感、晶體時鐘芯片等品類分享了最新產品與技術。來自原廠&世強的技術專家與千名實名認證研發工程師們實時互動,共同探討了汽車電子行業的新動態。

行業資訊    發布時間 : 2020-12-29

技術資料

封裝庫文件  -  英諾賽科 中文 下載

新產品

【視頻】高性能國產GaN FET助力汽車電子系統高功率密度設計|世強硬創新產品在線研討會

在世強硬創新產品在線研討會——國產汽車電子專場中,英諾賽科技術專家為我們做了演講。為有效提升電動車整體功率并減少車體重量,采用新一代功率半導體可說是勢在必行,氮化鎵便應運而生;透過氮化鎵IC,未來的電動汽車將更快、更小、具更佳的性能,同時實現更低的能源損耗。對電動汽車尤為重要的是,可降低整個系統規模、重量和成本。

新產品    發布時間 : 2020-12-23

新產品

【視頻】高性能國產650V氮化鎵(GaN)引領PD快充革命

在IoT智能硬件和傳感器專場世強在線研討會中,英諾賽科技術專家為我們做了演講。隨著智能手機發展,充電器功率越來遠大,英諾賽科推出650V氮化鎵(GaN)產品,引領PD快充革命。

新產品    發布時間 : 2020-10-30

新產品

【產品】100V/6mΩ增強型氮化鎵場效應管INN100W12,WLCSP 3×5封裝

英諾賽科(Innoscience)推出的INN100W12是一款100V增強型氮化鎵場效應管,采用WLCSP 3×5封裝,尺寸為2.5mm×1.5mm。漏極-源極導通電阻典型值僅6mΩ,具有超高的開關頻率和零反向恢復損耗。

新產品    發布時間 : 2020-10-23

新產品

【應用】國產氮化鎵場效應晶體管INN650D01實現95.4%效率的小型化100W單C快充設計

INN650D01是英諾賽科650V/130mΩ/16.5A的氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。采用該氮化鎵場效應晶體管搭配電源IC,相對于普通的電源IC搭配Si MOSFET技術,當頻率翻倍至120Khz的情況下可實現高效95.4%的體積減小一半以上的100W單C快充設計。

應用方案    發布時間 : 2020-09-25

新產品

【應用】國產氮化鎵場效應晶體管INN650D02實現高效率小型化的65W A+C快充設計

65W的A+C快充設計中快充主要用于反激拓撲電路,控制主回路的開關實現變壓器的能量轉換。INN650D02是英諾賽科的650V/200mΩ/11A的氮化鎵場效應晶體管,采用該氮化鎵場效應晶體管在頻率120Khz的情況下可實現高效92.3%的小型化65W A+C快充設計。

應用方案    發布時間 : 2020-09-02

新產品

【產品】100V E型GaN場效應管 INN100W14,具有超高開關頻率

英諾賽科新推出的E型GaN場效應管 INN100W14,具有超高開關頻率,零反向恢復損耗,雙通道,共源等特點,漏源電壓(連續)為100 V,連續電流為7A,工作溫度和儲存溫度為-40 至 150 ?C,可應用于轉換器,激光雷達應用,D類音頻,脈沖電源應用等領域。

新產品    發布時間 : 2020-08-10

技術資料

產品變更通知及停產信息  -  CENTRAL SEMICONDUCTOR  - May 15, 2020 英文 下載

新產品

【產品】100V E型GaN場效應管 INN100W08,具有超高開關頻率,超低RDS(ON)

英諾賽科新推出的 E型GaN場效應管INN100W08,具有超高開關頻率,超低RDS(ON),快速可控的下降和上升時間,零反向恢復損耗等特點,漏源電壓(連續)為100 V,工作溫度為-40 to 150 ?C,可應用于高效電源轉換,高密度功率轉換,電機驅動,工業自動化,DC-DC轉換器等領域。

新產品    發布時間 : 2020-08-09

新產品

【應用】國產氮化鎵INN100W08助力激光雷達發射端ns級別脈沖設計

英諾賽科推出的氮化鎵增強型場效應晶體管INN100W08為國產器件,整個晶圓設計和生產都是在國內,產品供應快,超低的Qg,可以實現激光二極管的tw時間在2~5個納秒級別應用,助力激光雷達發射端ns級別脈沖設計。

應用方案    發布時間 : 2020-08-01

新產品

【應用】基于氮化鎵功率管(GaN FET)INN650D02的60W PD快充方案

隨著電子市場對電源效率、功率密度和模塊化的要求日益增長,硅基功率晶體管作為PD快充方案已經不能滿足市場需求。本文介紹一款基于英諾賽科(Innoscience)氮化鎵功率管(GaN FET)INN650D02的60W PD (Type-C) 快充方案,可使PD快充產品更高頻、高效。

應用方案    發布時間 : 2020-07-01

新產品

【經驗】GaN FET INN100W02的LiDAR Demo板1-2ns級驅動信號產生辦法

為了得到1-2ns級驅動信號,需要在GaN驅動IC前端做一些信號處理,本文主要介紹英諾賽科INN100W02的LiDAR Demo板1-2ns級驅動信號的形成方法。

設計經驗    發布時間 : 2020-06-29

新產品

【應用】650V GaN FET INN650D01/INN650D02用于60WPD快充,功率密度是Si MOS的3倍

傳統的PD快充通常采用Si MOS作為主開關器件,其開關頻率一般低于100kHz,相應的磁性元件體積較大,整機功率密度和效率較低。針對以上問題,本文介紹英諾賽科650V GaN產品INN650D01和INN650D02,可實現基于GaN FET高效率小體積的60WPD快充。GaN的快充效率要高2.2%左右,功率密度是Si MOS快充的3倍。

應用方案    發布時間 : 2020-06-28

新產品

【經驗】英諾賽科65W PD快充驅動電路以及PCB layout設計指導

英諾賽科65W PD快充產品中使用650V 130mΩ GaN FET作為主功率開關器件,由于開關頻率較高,較快的開關速度勢必會帶來較高的dv/di,di/dt,需要我們從驅動電路以及PCB layout上做較多考量,本文就驅動電路以及PCB layout設計提出一些建議。

設計經驗    發布時間 : 2020-06-20

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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新產品

【應用】導通阻抗200mΩ、DFN8x8封裝的650V GaN FET INN650D02助力PD快充高效率設計

PD快充是能高效快速充電的電源適配器,對充電效率有高要求;同時為方便攜帶,這就提出了小體積的要求;與傳統的Si MOS相比體積更小的GaN FET作為主開關器件能夠滿足高效率小體積的PD快充產品設計,方案更具優勢。英諾賽科的INN650D02就是一款基于硅基的增強型GaN FET,650V/11A,其低阻抗小體積的特點能夠完美契合PD快充的設計需求。

應用方案    發布時間 : 2020-04-28

新產品

【應用】基于GaN FET高效率小體積的60W PD快充方案

基于Type-C協議的PD快充是目前充電器的優選,傳統的PD快充通常采用Si MOS作為主開關器件,其開關頻率一般低于100kHz,相應的磁性元件體積較大,整機功率密度和效率較低。針對以上問題,本方案采用GaN FET作為主開關器件,并搭配高效的同步整流IC、低導通損耗的整流橋、高可靠性保險絲和多協議PD控制芯片等器件,實現基于GaN FET高效率小體積的60W PD快充方案的產品設計。

應用方案    發布時間 : 2020-04-10

新產品

英諾賽科出席APEC2019,展示40V~650V的E-Mode GaN FET產品

作為國內第三代半導體代表企業,英諾賽科出席了美國應用能源電子展APEC2019,在展會現場發布最新E-Mode GaN FET產品并現場進行應用展示,與觀眾分享來自中國基于8英寸線開發的氮化鎵產品成果。

行業資訊    發布時間 : 2020-03-25

新產品

【應用】英諾賽科基于InnoGaN的AC-DC電源解決方案

本文將介紹幾款由英諾賽科已經開發完成和正在開發的AC-DC電源參考方案,其中重點介紹60W PD量產級方案。作為英諾賽科的首款量產級Demo,這款產品無論從PCB布局,還是性能硬指標,到工程師最關注的GaN充電器EMI、熱等問題,以及BOM成本,均有很不錯的參數表現。

應用方案    發布時間 : 2020-03-13

新產品

世強平臺可提供全方面的器件,助力采用氮化鎵技術符合Type-C協議的60W PD快充設計

基于氮化鎵采用Type-C協議的PD快充是目前充電器的優選,其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意圖,世強平臺可提供里面的PD快充設計的全方面的器件和相關資料,協助高效高密的PD快充設計。

應用方案    發布時間 : 2020-02-27

新產品

【經驗】650V GaN FET INN650D02用于60W PD快充的性能參數分析

近期英諾賽科推出的60W PD快充demo板,采用的QR反激+SSR同步整體結構,支持PD 3.0協議,主功率器件采用自己制造的650V GaN FET產品INN650D02,最大效率對于MOSFET有大概2%提升。產品尺寸31mm*31mm*60mm,功率密度達到18W/in3,無論產品效率還是EMI性能,完全滿足PD產品對于外形尺寸以及效率性能的要求。

設計經驗    發布時間 : 2020-02-23

技術資料

測試報告  -  英諾賽科  - Revision 1.0 - Mar./05/2020 英文 下載

新產品

【經驗】650V GaN FET INN650D02在PD快充上兩種驅動方式的優劣勢對比

本文主要介紹英諾賽科的650V GaN FET INN650D02在PD快充上不同驅動形式的對比。兩種驅動方式分別是:使用電阻電容分壓電路或者使用驅動IC FAN3111E,電阻電容分壓方式可靠性不高,如果設計產品對于品質要求較高不建議采用,而是推薦驅動IC方案,對于GaN高速驅動,驅動IC不論是驅動速度,驅動信號穩定性都有較大優勢。

設計經驗    發布時間 : 2020-02-11

新產品

【產品】漏極-源極電壓最小值為40V的增強型氮化鎵功率管INN40W03,具有零反向恢復損耗

英諾賽科新推出的增強型氮化鎵功率管INN40W03,漏極-源極電壓最小值為40V,具有零反向恢復損耗。其相關性能指標非常優越。

新產品    發布時間 : 2019-10-22

新產品

【產品】超高開關頻率、超低導通電阻的100V增強型氮化鎵功率管INN100W02

英諾賽科推出的增強型氮化鎵功率管INN100W02,漏極-源極連續電壓最大值為100V, 具有零反向恢復損耗、超高開關頻率等特點。其相關性能指標非常優越。

新產品    發布時間 : 2019-10-11

新產品

【產品】英諾賽科新推出超高開關頻率、超低導通電阻的增強型氮化鎵功率管INN100W03

英諾賽科2019年新推出的100V增強型氮化鎵場效應管——INN100W03, 具有零反向恢復損耗、超高開關頻率等特點。其相關性能指標非常優越。

新產品    發布時間 : 2019-10-10

新產品

【應用】利用650V GaN FET INN650D01和INN650D02實現65W快充設計

英諾賽科65W的快充產品是采用兩款650V的氮化鎵產品技術INN650D01和INN650D02實現的。當設計65W的快充時,頻率開高的情況下,產品的功率密度越高且產品效率也更高。

應用方案    發布時間 : 2019-09-28

新產品

【技術】相較于Si MOSFET,GaN FET可實現更高的頻率開關特性以及更高效率特性

氮化鎵主要是氮和鎵的化合物。目前英諾賽科的氮化鎵主要是采用si做襯底,氮化鎵主要是通過GaN和AlGaN之間以及它們之間的二維電子氣形成DGS三極之間的開關特性。當Si MOSFET器件被開發到極致時,GaN技術相對于Si MOSFET,能實現更高的功率密度和更高效率特性的場效應晶體管技術。

新技術    發布時間 : 2019-09-27

新產品

【應用】650V增強型GaN場效應晶體管在45W快充有源鉗位反激電路ACF的應用

當設計45W的快充時,為了實現小體積高功率密度,目前越來越多的方案采用GaN做高頻開關。英諾賽科(Innoscience)的650V的GaN,型號 INN650D02,單機采用2PCS便可輕易實現該設計。【世強硬創沙龍2019】

應用方案    發布時間 : 2019-08-31

新產品

【產品】漏極-源極電壓最小值為650V的增強型氮化鎵場效應管INN650D01,具有零反向恢復損耗

英諾賽科(Innoscience)推出650V增強型氮化鎵場效應管——INN650D01,具有超高的開關頻率、超低的導通電阻、快速且可控的下降和上升時間、零反向恢復損耗。可用于AC-DC轉換器、圖騰柱PFC、快速充電器、高密度功率轉換和高效率功率轉換。

新產品    發布時間 : 2019-08-30

新產品

【產品】650V增強型氮化鎵場效應晶體管INN650D01和INN650D02,助力快充高效高功率密度設計

目前英諾賽科(Innoscience)的650V GaN產品包括增強型氮化鎵場效應晶體管INN650D01和INN650D02,主要是應用于快充等市場,實現高效高功率密度設計。【世強硬創沙龍2019】

新產品    發布時間 : 2019-08-30

新產品

【經驗】650V增強型GaN場效應晶體管在快充應用上如何優化EMC設計

英諾賽科(Innoscience)650V的GAN產品,主要是應用于快充等市場,采用ACF拓撲設計(圖1),開關頻率高達(100KHZ~500KHZ),實現高效高功率密度設計。因頻率越高,產品的EMC特性相對就越差。可通過本文介紹方式對EMC進行優化。

設計經驗    發布時間 : 2019-08-30

技術資料

PCNA2101: Alternate Assembly Site for HV device in DFN modules

型號- INN650D01,INN650D02,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA01,INN650DA02,INN650DA150A,INN650DA260A

產品變更通知及停產信息  -  英諾賽科  - Vesion:1.0 - 2021/06/24 英文 下載

GAN器件的應用場合一般有哪些?

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GAN FET是新一代高開關頻率的功率器件,其開關頻率可達到上MHz。通常可以應用在激光雷達、高功率密度AC-DC、DC-DC電源,如手機充電器、通信電源模塊等領域。推薦采用EPC或英諾賽科的GaN FET,可參考鏈接:Innoscience,EPC

發布時間 : 2019-11-01

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國產第三代半導體硅基氮化鎵(GaN)功率器件上線,帶來小體積、低成本PD快充方案

世強元件電商平臺上線硅基氮化鎵功率器件、射頻器件等產品,可以提供小體積、低成本PD快充方案。

公司動態    發布時間 : 2019-08-24

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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低成本,高可靠性的硅基氮化鎵晶體管(GaN FET),最高頻率可達GHz等級

英諾賽科(Innoscience)已發布30V-650V的硅基氮化鎵晶體管(GaN FET),包括單管GaN FET,半橋GaN FET,GaN IC,具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多種封裝可選,可做到脈寬<2ns的開關速度,最高頻率可達GHz等級,效率高,可實現低雜散電感、低損耗,易于PCB布板,且具有每月8萬片wafer的高產能等諸多優勢。

廠牌及品類    發布時間 : 2019-07-28

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【應用】英諾賽科小體積GaN FET INN100W01助力人工智能和數據中心供電的DC-DC降壓電路設計

為了降低人工智能和數據中心供電的DC-DC降壓電路能耗,DC-DC降壓電路通常需要一款小體積、高性能的MOSFET,英諾賽科(Innoscience)推出的氮化鎵功率管INN100W01,該產品以其固有的特性,可以帶來電源性能的提升。【世強硬創沙龍2019】

應用方案    發布時間 : 2019-04-16

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【應用】基于國產氮化鎵晶體管英諾賽科INN100W02的36W DC-DC電源,效率可達94.7%

電源的功率轉換一直以來都是用硅基功率晶體管,但隨著電子市場對電源效率、功率密度和模塊化的要求日益增長,硅基功率晶體管已經不能滿足市場需求。本文介紹一款基于英諾賽科(Innoscience)氮化鎵功率管INN100W02的DC-DC電源方案測試板,可使電源更高頻、高效。【世強硬創沙龍2019】

應用方案    發布時間 : 2019-03-27

技術資料

高性能國產GaN FET助力汽車電子系統高功率密度設計

型號- INN100W09,INN100W08,INN650DA02,INN100W03,INN100W01,INN100W12,INN100W02,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40W01,INN40W03,INN40W02

商品及供應商介紹  -  英諾賽科 中文 下載

技術資料

DBM001 60W PD (Type-C)快充 Demo說明書

型號- HUSB339,PX471M025E150P,DMP3007SCG-7,MM5Z6V2ST1G,HGN070N12SL,DBM001,NCP4306DAD,1N4148WS,NCP1342AMDCDAD1R2G,KM300V400G220A00H,MMBTA42,FR107W,NCP4306DADZ

用戶指南  -  英諾賽科  - Rev 2.0 - 2020.05 中文 下載

Rds比較小,開關損耗小,溫度低

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問題信息不夠完善,希望能進一步完善問題的內容,針對Rds小,主要是問功率半導體器件,針對功率半導體主要是IGBT,Si MOS,SiC mos和GaN;應用領域都不一樣,目前GaN的Rds小,主要針對中低壓,最小Rds僅為1-2mΩ,目前世強代理的GaN產品品牌主要為EPC和英諾賽科,相關資料可以在世強電商平臺檢索。

發布時間 : 2019-12-09

技術資料

33W極致小體積解決方案

型號- INN650DA04,DA04

應用及方案  -  英諾賽科  - 2021.04.29 中文 下載

請問有氮化鎵充電器65W的方案嗎?

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可參考平臺的“【應用】基于GaN FET高效率小體積的60W PD快充方案”,該方案是可以實現硬件65W的匹配的。方案詳情:http://www.ninjakujiin.com/news/43004079.html

發布時間 : 2019-12-03

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高品質、高性價比國產IC、通信模組、阻容感、材料精選推薦

為您推薦高品質、高性價比國產品牌, DSP│存儲器│電源管理芯片│模擬器件│傳感器│驅動及功率器件│電路保護芯片│無線芯片及通訊模塊│激光二極管及模組│阻容感│材料│電池│…..

專題合輯    發布時間 : 2019-03-26

技術資料

高性能國產氮化鎵(GaN)應用于無人駕駛及新能源汽車OBC、DC/DC

型號- INN100W09,INN100W08,INN650DA02,INN100W03,INN100W01,INN100W12,INN100W02,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40W01,INN40W03,INN40W02

商品及供應商介紹  -  英諾賽科 中文 下載

新產品

代理英諾賽科 世強元件電商可獲取更多硅基氮化鎵產品及5G射頻器件

2018年底,世強增添多條產品線,由此進一步擴充磁性材料、納米涂層材料、線路保護器件、功率和射頻器件等相關產品線及服務。本次,與世強簽約的,就包括建成了全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線的英諾賽科。-關于英諾賽科-在2017年底,英諾賽科建成了全球首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產生產線,并在非常短的時間內打破了國外知名半導體公司在氮化鎵功率芯片設計和生產制造領域對中國市場、甚至全球市場

行業資訊    發布時間 : 2019-01-17

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數據手冊  -  英諾賽科  - version 1.01 - Jun, 2020 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 2.0 - Jun, 2019 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 3.0 - Jun, 2019 英文 下載

技術資料

數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 2.0 - July,2020 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev. 1.0 - May, 2020 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev. 1.0 - Apr, 2020 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - 08/11/2018 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 1.0 - June, 2019 英文 下載

技術資料

數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 1.0 - June, 2019 英文 下載

集成電路 · 分立半導體元件 · 無源元件 · 接插件及結構件 · 部件 · 組件及配件 · 電源及電源模塊 · 電子材料

電工工具及電工材料 · 儀器儀表及測試配組件 · 機電元件 · 機械及五金配件 · 電氣自動化元件部件 · 研發服務 · 加工與定制

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 1.0 - June, 2019 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev 1.0 - June, 2019 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - 23/11/2018 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - 23/11/2018 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - 21/11/2018 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - 21/11/2018 英文 下載

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世強引入英諾賽科 進一步發力氮化鎵功率芯片、5G射頻器件及服務

日前,十大本土分銷商世強,與擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵量產線的英諾賽科簽署代理協議,代理其全線產品。簽約后,世強元件電商可以為廣大中國企業提供更多的氮化鎵功率芯片、5G射頻器件,并支持與英諾賽科相關的資料下載、技術支持等服務。

行業資訊    發布時間 : 2019-01-16

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev.1.0 - 2021/01/28 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev. 1.0 - 2021/01/15 英文 下載

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數據手冊  -  英諾賽科  - Rev.0.1 - 2020-05-19 英文 下載

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英諾賽科(Innoscience)——世界領先的8英寸硅基氮化鎵產業化平臺

世強是英諾賽科(Innoscience)官方授權一級代理商,代理英諾賽科(Innoscience)旗下硅基氮化鎵功率與射頻器件等產品,庫存豐富,正品保證。用戶可以查詢獲取來自英諾賽科(Innoscience)的最新產品和技術資訊、官方資料庫,以低于行業的價格,購買英諾賽科(Innoscience)最新產品,享受供貨保障。

供應商資源    發布時間 : 2019-01-16

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與擁有全球首條8英寸硅基氮化鎵量產線的英諾賽科簽約 世強再添產品線

近日,世強與國產品牌英諾賽科(Innoscience)簽約,代理其全線產品。本次簽約,不僅意味著世強進一步拓展了功率和射頻器件的產品線,還意味著英諾賽科的產品采購、資料下載、技術支持等服務內容均可由世強元件電商支持。

公司動態    發布時間 : 2019-01-15

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【產品】采用WLCSP封裝形式的國產單管GaN FET,RDS(ON)最小為25m?

INN40W01,INN40W02,INN100W01是Innoscience公司推出的三款高質量單管GaN FET產品,三款產品均采用WLCSP封裝形式,具有超低RDS(ON)和零反向恢復損失等特性,可廣泛應用高效率功率轉換、高密度功率轉換、工業自動化等方面。【世強硬創沙龍2019】

新產品    發布時間 : 2018-12-29

技術資料

【方案】小功率LED恒流源驅動模塊優選元器件方案

描述- 本方案主要采用Silicon Labs 的超小型低功耗8位MCU EFM8BB10F8G-A-QFN20R,圣邦微的LED恒流驅動器SGM3784YG/TR,TE Connectivity NTC熱敏電阻GA2.2K3A1iD等器件。將效率提高至95%,電流精度典型值可達97%,散熱效果好,可實現方便快捷的調光功能。很好的解決了LED恒流驅動電源存在的問題。

型號- MC2016K24.0000C1XESK,SGM2036-3.3YUDH4G/TR,INN40W01-40V,EFM8BB10F8G-A-QFN20R,SGM3784YG/TR,RP104N331D-TR-AE,GA2.2K3A1ID,HTU20D,9608

優選器件方案  -  SILICON LABS,RICOH,TE CONNECTIVITY,KYOCERA,英諾賽科,SGMICRO  - V1.0 中文 下載

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