活動Vincotech最新M7晶圓IGBT,覆蓋行業主流封裝,功率密度提高30%,損耗降低20%

2021-06-15 世強
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Vincotech是全球領先的功率模塊解決方案供應商,總部位于德國,最初起源于西門子AG集團,跟英飛凌師出同門,后又被三菱集團全資收購。這也造就了Vincotech全球唯一具有三菱和英飛凌兩大晶圓這一特殊優勢。多源的晶圓戰略,使得其供應更加可靠。公司致力于開發生產高質量電子功率組件,在馬達控制、可再生能源、不間斷電源(UPS)和開關電源等領域被廣泛應用。


IGBT新產品介紹


針對低功率運動控制領域,Vincotech推出了三菱M7晶圓Flow E系列小功率IGBT模塊,包括兼容主流EASY封裝的PIM模塊和6管模塊。PIM模塊,帶整流橋、制動、逆變于一體,電壓600V/1200V,電流從10A到最大50A。6管模塊,電壓600V/1200V,電流從20A到最大100A。



Vincotech模塊對Flow E系列模塊結構上做出了創新功能,對比DCB底板預彎技術已經成功驗證并已經批量生產,如下圖,圖中紅色圓圈部分為彎曲部分:

為什么要做DCB預彎技術,Vincotech對模塊和散熱器的結合進行大量研究,客戶在安裝模塊時通常使用兩顆螺絲進行固定,螺絲固定時對模塊底部有一定作用力,Vincotech模塊DCB彎曲部分安裝后就會被安裝作用力壓平,這樣就導致模塊與散熱器更緊密的結合,下圖是Vincotech與競品的壓力分布對比分析,從圖中可以看到Flow E模塊的壓力分布明顯要比競品要均勻很多,模塊與散熱器結合更好,散熱性能會更高。

產品特點:

12mm低感應標準工業封裝;緊湊型設計;CTI600封裝材料;熱機械推拉力釋放;預彎DCB可與散熱器發生良好的熱接觸;壓接引腳帶泄壓區;可選相變材料。 

 產品優勢:

續流二極管特性更軟;增強了dV/Dt的可控性;可靠性更高,熱性能更好,Rth比競品低15%;在小封裝中,功率密度更高;在相同封裝中,功率更大;損耗低,可滿足對高效率的需求。


針對太陽能和不間斷電源等中功率市場,Vincotech推出了三菱M7晶圓VINco E3封裝的中功率IGBT模塊,兼容主流ECONO封裝,包括帶螺旋端子的半橋模塊和無螺紋端子的六管模塊。VINco E3可提供1200V,100A-690A不同功率等級的模塊。采用了創新的固體封裝(SLC)技術,新型的IMB(絕緣金屬底板)將絕緣樹脂層與其頂部及底部的銅層直接結合到了一起。相較于硅凝膠,直接灌封樹脂具有更為均勻的機械應力分散能力。這種新的中功率封裝標準,具備更高功率循環能力,更低熱阻和更高的能量密度。

主要特征:

低損耗新型第7代芯片技術;新型SLC和絕緣金屬基板(IMB)技術;卓越的熱循環能力;“無pump-out”失效風險,具有匹配CTE值(IMB,樹脂填充以及封裝具有非常匹配的熱膨脹系數);低剖面封裝;集成了NTC;壓接引腳和預涂相變材料。

優勢:

VCEsat比同類產品降低20%;低開關損耗,高功率密度、低雜散電感;直接灌封樹脂比硅膠能夠更均勻地承受機械應力,以提高功率循環能力;提升了SOA(safe operation area)性能;更優的dv/dt可控性(調整Rg即可)。

活動資料            

【選型】Vincotech(威科) 功率模塊(IGBT模塊)選型指南

 Vincotech(威科)VINco E3滿足中功率段需求的新封裝應用方案

 Vincotech(威科)用于低功率運動控制,搭配IGBT M7的E1/E2應用方案


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【經驗】Vincotech IGBT模塊三菱M7晶圓對比英飛凌IGBT4技術對比分析

【產品】采用IGBT M7芯片的flow E1/E2可用于更高功率密度的變流器

【產品】采用新型SLC和IMB技術的Econo DUAL封裝中功率IGBT模塊,損耗降低15%以上 | 視頻

  滿足中功率逆變器的市場所需的VINco E3



活動規則  
    


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活動時間:6月16日-7月15日

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V23990;P546-A28系列

flowPIM 0 600V/30A power module with IGBT3 and PIM (CIB) topology

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V23990;P545-A28系列

flowPIM 0 600V/20A power module with IGBT3 and PIM (CIB) topology

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V23990;P634-A系列

flow90PIM 1 600V/20A power module with IGBT3 and PIM (CIB) topology

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V23990;P704-F系列

flow90PACK 1 600V/30A power module with IGBT3 and Sixpack topology

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IGBT power module

FY12PMA025M7;P588A78系列

flowPIM 1 1200V/25A power module without thermal paste 12 mm housing with solder pins

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FY12NMA080SH;M427F;M427系列

flowMNPC 1 1200V/80A power module with IGBT4 HS and Three-level MNPC (T-Type) topology

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FZ12PMA010M7;P849A28系列

flowPIM 0 1200V/10A power module with IGBT M7 and PIM (CIB) topology

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V23990;P629-F73系列

flowBOOST 0 dual 1200V/40A power module with NPT IGBT and Booster topology

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V23990;P629-L43系列

flowBOOST 0 dual 1200V/50A power module with IGBT4 HS and Booster topology

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IGBT功率模塊

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SID118;SID1182KQ系列

up to 8 A Single Channel IGBT/MOSFET Gate Driver for Automotive Applications Providing Reinforced Galvanic Isolation

最小包裝量:1,000

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  • 艾瑪電子 Lv6. 高級專家 2021-07-10
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  • 有妖氣 Lv7. 資深專家 2021-07-09
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